Name: SIHB33N60ET1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIHB33N60ET1-GE3TR-ND
Price: 48.77 CNY
Availability: OutOfStock

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SIHB33N60ET1-GE3
DigiKey 零件编号	SIHB33N60ET1-GE3TR-ND - 卷带（TR） SIHB33N60ET1-GE3CT-ND - 剪切带（CT） SIHB33N60ET1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SIHB33N60ET1-GE3
描述	MOSFET N-CH 600V 33A TO263
原厂标准交货期	23 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 600 V 33A（Tc） 278W（Tc） TO-263（D2PAK）
规格书	规格书

产品属性

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	E
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	33A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	99 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	3508 pF @ 100 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	278W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	TO-263（D2PAK）
封装/外壳	TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
基本产品编号	SIHB33