单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
-HEXFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）220mA（Ta）6.3A（Ta）10.5A（Ta），16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18.5 毫欧 @ 4A，10V21 毫欧 @ 6.3A，4.5V3 欧姆 @ 500mA，10V3.5 欧姆 @ 220mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 10µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.9 nC @ 4.5 V13.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V50 pF @ 10 V540 pF @ 30 V700 pF @ 16 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）350mW（Ta）1.3W（Ta）3.7W（Ta），31.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PowerPAK® SO-8SOT-23SOT-323
封装/外壳
PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML6244TRPBF
MOSFET N-CH 20V 6.3A SOT23
Infineon Technologies
461,159
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.70090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6.3A（Ta）
2.5V，4.5V
21 毫欧 @ 6.3A，4.5V
1.1V @ 10µA
8.9 nC @ 4.5 V
±12V
700 pF @ 16 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
736,847
现货
1 : ¥2.38000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.40362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
200mA（Ta）
10V
3.5 欧姆 @ 220mA，10V
1.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerPAK SO-8
SIR4606DP-T1-GE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Vishay Siliconix
10,235
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.10293
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.5A（Ta），16A（Tc）
7.5V，10V
18.5 毫欧 @ 4A，10V
4V @ 250µA
13.5 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 30 V
-
3.7W（Ta），31.2W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,907
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。