单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）250mA（Ta）310mA（Ta）380mA（Ta）400mA（Ta）2.2A（Ta）5.47A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 6A，10V65 毫欧 @ 2.2A，4.5V1.5 欧姆 @ 100mA，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V2.8 欧姆 @ 250mA，10V3 欧姆 @ 115mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V0.43 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.87 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V5.4 nC @ 4.5 V9 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V17 pF @ 10 V22 pF @ 25 V23.2 pF @ 25 V27 pF @ 25 V40 pF @ 10 V300 pF @ 10 V434.7 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）300mW（Ta）320mW（Ta）350mW（Ta）370mW（Ta）500mW（Ta）740mW
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-323SST3TO-236AB
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NX7002AK,215
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
501,395
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26370
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN337N
MOSFET N-CH 30V 2.2A SUPERSOT3
onsemi
149,395
现货
1 : ¥4.52000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.53127
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.2A（Ta）
2.5V，4.5V
65 毫欧 @ 2.2A，4.5V
1V @ 250µA
9 nC @ 4.5 V
±8V
300 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
481,249
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.21578
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
265,395
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23206
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
400mA（Ta）
4.5V，10V
1.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN65D8L-7
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT23
Diodes Incorporated
370,263
现货
1,365,000
工厂
1 : ¥1.40000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.23992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
0.87 nC @ 10 V
±20V
22 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
266,582
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27486
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN63D8LW-13
MOSFET N-CH 30V 380MA SOT323
Diodes Incorporated
162,076
现货
790,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.24483
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
380mA（Ta）
2.5V，10V
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
199,839
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3420UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
0
现货
222,000
工厂
查看交期
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.81439
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.47A（Ta）
1.8V，10V
29 毫欧 @ 6A，10V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
434.7 pF @ 10 V
-
740mW
-55°C ~ 150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。