单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDMicro Commercial CoNexperia USA Inc.
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta)300mA(Tc)320mA(Ta)4.2A(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
60 毫欧 @ 4.2A,10V1.6 欧姆 @ 320mA,10V3 欧姆 @ 500mA,10V5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.3V @ 250µA1.6V @ 250µA2.5V @ 250µA
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
27 pF @ 25 V50 pF @ 10 V56 pF @ 10 V1050 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
260mW(Ta),830mW(Tc)350mW(Ta)400mW830mW(Ta)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
SOT-23SOT-323TO-236AB
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
586,711
现货
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37855
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
300mA(Tc)
10V
5 欧姆 @ 500mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
-
830mW(Ta)
-65°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS138BKW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
252,143
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35302
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 320mA,10V
1.6V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
56 pF @ 10 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT 23
SI3401A-TP
MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
Micro Commercial Co
21,715
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.63215
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
4.2A(Tj)
2.5V,10V
60 毫欧 @ 4.2A,10V
1.3V @ 250µA
-
±12V
1050 pF @ 15 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,917
现货
1 : ¥1.31000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.22873
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。