单 FET,MOSFET

结果 : 14
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 5TrenchFET®TrenchFET® Gen IVTrenchFET® Gen VU-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
40A(Ta),479A(Tc)42A(Ta),433A(Tc)66A(Ta),700A(Tc)75A(Ta),789A(Tc)81.7A(Ta),100A(Tc)94A(Ta),421A(Tc)100A(Ta),430A(Tc)100A(Tc)300A(Tc)380A(Tc)400A(Ta)575A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V6V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.29 毫欧 @ 50A,10V0.3mOhm @ 200A,10V0.35 毫欧 @ 50A,10V0.4 毫欧 @ 150A,10V0.4 毫欧 @ 30A,10V0.45 毫欧 @ 30A,10V0.47 毫欧 @ 20A,10V0.55 毫欧 @ 50A,10V0.58 毫欧 @ 20A,10V0.67 毫欧 @ 25A,10V0.72 毫欧 @ 25A,10V0.9 毫欧 @ 20A,10V0.99 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA1.95V @ 1mA2V @ 1.448mA2V @ 1.46mA2V @ 10mA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.2V @ 1mA2.2V @ 250µA2.2V @ 2mA3V @ 1mA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
110 nC @ 10 V110.2 nC @ 10 V122 nC @ 10 V128 nC @ 10 V145 nC @ 10 V163 nC @ 4.5 V180 nC @ 10 V188 nC @ 10 V197 nC @ 10 V200 nC @ 10 V238 nC @ 10 V254 nC @ 10 V295 nC @ 10 V310 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+12V,-8V+16V,-12V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
6160 pF @ 15 V6775 pF @ 12 V8000 pF @ 15 V8320 pF @ 12 V8900 pF @ 15 V8960 pF @ 15 V9020 pF @ 25 V10850 pF @ 10 V11000 pF @ 12.5 V12430 pF @ 10 V17000 pF @ 12 V18000 pF @ 15 V24000 pF @ 15 V26910 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),188W(Tc)2.5W(Ta),278W(Tc)3W(Ta),188W(Tc)3.8W(Ta),300W(Tc)6.25W(Ta),104W(Tc)6.3W(Ta),104W(Tc)7.5W(Ta),150W(Tc)158W(Tc)272W(Tc)333W(Tc)600W(Tc)750W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)175°C
供应商器件封装
L-TOGL™LFPAK56,Power-SO8LFPAK56; Power-SO8PG-HSOF-8-1PG-TDSON-8PG-TDSON-8 FLPG-TTFN-9-U02PowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8PowerPAK® SO-8DC
封装/外壳
8-PowerBSFN8-PowerSFN8-PowerTDFN9-PowerTDFNPowerPAK® 8 x 8PowerPAK® SO-8SC-100,SOT-669SOT-1023,4-LFPAK
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
14结果

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/ 14
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK SO-8
SIR178DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 20V 100A/430A PPAK
Vishay Siliconix
1,175
现货
1 : ¥13.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥6.14030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100A(Ta),430A(Tc)
2.5V,10V
0.4 毫欧 @ 30A,10V
1.5V @ 250µA
310 nC @ 10 V
+12V,-8V
12430 pF @ 10 V
-
6.3W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN0R9-25YLC,115
MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
6,544
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
1,500 : ¥7.25480
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
100A(Tc)
4.5V,10V
0.99 毫欧 @ 25A,10V
1.95V @ 1mA
110 nC @ 10 V
±20V
6775 pF @ 12 V
-
272W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
10,375
现货
1 : ¥18.39000
剪切带(CT)
5,000 : ¥7.97373
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
40A(Ta),479A(Tc)
4.5V,10V
0.45 毫欧 @ 30A,10V
2V @ 10mA
238 nC @ 10 V
±20V
11000 pF @ 12.5 V
-
2.5W(Ta),188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PowerPAK_SO-8DC_Top
SIDR500EP-T1-RE3
N-CHANNEL 30 V (D-S) 175C MOSFET
Vishay Siliconix
7,555
现货
1 : ¥27.17000
剪切带(CT)
3,000 : ¥13.23009
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
94A(Ta),421A(Tc)
4.5V,10V
0.47 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
180 nC @ 10 V
+16V,-12V
8960 pF @ 15 V
-
7.5W(Ta),150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8DC
PowerPAK® SO-8
x-xSOF-8-1
IPT004N03LATMA1
MOSFET N-CH 30V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
2,339
现货
1 : ¥40.55000
剪切带(CT)
2,000 : ¥19.76120
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.4 毫欧 @ 150A,10V
2.2V @ 250µA
163 nC @ 4.5 V
±20V
24000 pF @ 15 V
-
3.8W(Ta),300W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
4,053
现货
1 : ¥58.70000
剪切带(CT)
1,500 : ¥25.03901
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
400A(Ta)
6V,10V
0.3mOhm @ 200A,10V
3V @ 1mA
295 nC @ 10 V
±20V
26910 pF @ 10 V
-
750W(Tc)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
L-TOGL™
8-PowerBSFN
5,832
现货
1 : ¥19.13000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.30487
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
42A(Ta),433A(Tc)
4.5V,10V
0.55 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
122 nC @ 10 V
±20V
8900 pF @ 15 V
-
3W(Ta),188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
4,284
现货
1 : ¥19.95000
剪切带(CT)
5,000 : ¥8.66359
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
42A(Ta),433A(Tc)
4.5V,10V
0.55 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 10mA
128 nC @ 10 V
±20V
8000 pF @ 15 V
-
3W(Ta),188W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
SOT-1023
PSMNR58-30YLHX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
22,406
现货
1 : ¥25.70000
剪切带(CT)
1,500 : ¥12.37890
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
380A(Tc)
4.5V,10V
0.67 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 2mA
188 nC @ 10 V
±20V
6160 pF @ 15 V
-
333W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
PowerPAK SO-8 Pkg
SIRA20DP-T1-RE3
MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Vishay Siliconix
14,010
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.14972
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
81.7A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
0.58 毫欧 @ 20A,10V
2.1V @ 250µA
200 nC @ 10 V
+16V,-12V
10850 pF @ 10 V
-
6.25W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PSMNxRx-xxYx,115
PSMN0R7-25YLDX
MOSFET N-CH 25V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
3,123
现货
1 : ¥16.50000
剪切带(CT)
1,500 : ¥9.82471
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
300A(Tc)
4.5V,10V
0.72 毫欧 @ 25A,10V
2.2V @ 1mA
110.2 nC @ 10 V
±20V
8320 pF @ 12 V
-
158W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56; Power-SO8
SOT-1023,4-LFPAK
PowerPAK-8x8LR
SQJQ144AER-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
956
现货
1 : ¥22.17000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.78176
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
575A(Tc)
10V
0.9 毫欧 @ 20A,10V
3.5V @ 250µA
145 nC @ 10 V
±20V
9020 pF @ 25 V
-
600W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
4,948
现货
1 : ¥29.75000
剪切带(CT)
5,000 : ¥14.38355
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
75A(Ta),789A(Tc)
4.5V,10V
0.29 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 1.448mA
254 nC @ 10 V
±16V
17000 pF @ 12 V
-
2.5W(Ta),278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
4,826
现货
1 : ¥29.80000
剪切带(CT)
5,000 : ¥14.38096
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
66A(Ta),700A(Tc)
4.5V,10V
0.35 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 1.46mA
197 nC @ 10 V
±20V
18000 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta),278W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TTFN-9-U02
9-PowerTDFN
显示
/ 14

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。