Name: IQDH29NE2LM5CGATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND
Price: 29.75 CNY
Availability: InStock

IQDH29NE2LM5CGATMA1
DigiKey 零件编号	448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR-ND - 卷带（TR） 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT-ND - 剪切带（CT） 448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Infineon Technologies
制造商产品编号	IQDH29NE2LM5CGATMA1
描述	OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
原厂标准交货期	20 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 25 V 75A（Ta），789A（Tc） 2.5W（Ta），278W（Tc） PG-TTFN-9-U02
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	IQDH29NE2LM5CGATMA1 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Infineon Technologies
系列	OptiMOS™ 5
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	75A（Ta），789A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	0.29 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2V @ 1.448mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	254 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	17000 pF @ 12 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	2.5W（Ta），278W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	PG-TTFN-9-U02
封装/外壳	9-PowerTDFN
基本产品编号	IQDH29

IQDH29NE2LM5CGATMA1