单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Nexperia USA Inc.Rohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
MOSFET（金属氧化物）SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
800mA（Ta）40A（Tj）90A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.7mOhm @ 45A，10V47 毫欧 @ 21A，18V380 毫欧 @ 900mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 1mA2.7V @ 250µA4.8V @ 11.1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.6 nC @ 10 V67 nC @ 10 V91 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
±20V+21V，-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
101 pF @ 30 V2335 pF @ 800 V6300 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
323mW（Ta），554mW（Tc）960mW（Ta），170W（Tc）150W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）175°C175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SOP Advance（5x5）TO-236ABTO-263-7L
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
7,491
现货
1 : ¥12.56000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.43755
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
90A（Tc）
4.5V，10V
3.7mOhm @ 45A，10V
2.5V @ 1mA
67 nC @ 10 V
±20V
6300 pF @ 50 V
-
960mW（Ta），170W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
TO-236AB
PMV450ENEAR
MOSFET N-CH 60V 800MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
43,780
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47461
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
800mA（Ta）
4.5V，10V
380 毫欧 @ 900mA，10V
2.7V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
101 pF @ 30 V
-
323mW（Ta），554mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SCT4026DW7HRTL
SCT4036KW7TL
1200V, 40A, 7-PIN SMD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
796
现货
1 : ¥113.05000
剪切带（CT）
1,000 : ¥94.75141
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET（碳化硅）
1200 V
40A（Tj）
18V
47 毫欧 @ 21A，18V
4.8V @ 11.1mA
91 nC @ 18 V
+21V，-4V
2335 pF @ 800 V
-
150W
175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8，D2PAK（7 引线 + 凸片），TO-263CA
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。