单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）320mA（Ta）340mA（Ta）87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 44A，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V4.5 欧姆 @ 100mA，10V5 欧姆 @ 300mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 250µA4.6V @ 107µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V0.7 nC @ 4.5 V2.2 nC @ 10 V2.4 nC @ 10 V40.7 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
18 pF @ 30 V20 pF @ 10 V24.5 pF @ 20 V36 pF @ 5 V3230 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）300mW（Ta）350mW（Ta）139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TDSON-8-7SOT-23SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
封装/外壳
8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
74,432
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
247,060
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29870
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
4.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.3V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
1,171
现货
1 : ¥27.34000
剪切带（CT）
5,000 : ¥12.77754
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
87A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 44A，10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT 23-3
BSS84LT7G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
6,102
现货
17,500
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,500 : ¥0.50760
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
2.2 nC @ 10 V
±20V
36 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
2N7002E
2N7002EY
N-CHANNEL SMD MOSFET ESD PROTECT
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
77,384
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19370
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
340mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 300mA，10V
2.5V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
18 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。