单 FET，MOSFET

结果 : 20
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesMicro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V80 V100 V150 V200 V350 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
72mA（Tj）170mA（Ta）310mA（Ta）4.4A（Ta），22A（Tc）5.7A（Ta）7.7A（Ta）7.9A（Ta），50A（Tc）13.2A（Tc）18A（Tc）19.6A（Tc）22.5A（Tc）25A（Tc）28A28A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V4V，10V4.5V，10V6V，10V7.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8 毫欧 @ 20A，10V8.6 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 17A，10V22 毫欧 @ 7.9A，10V25 毫欧 @ 10.5A，10V25 毫欧 @ 5A，10V33 毫欧 @ 10A，10V40 毫欧 @ 20A，10V41 毫欧 @ 7.8A，10V43 毫欧 @ 9.2A，10V50 毫欧 @ 10A，10V50 毫欧 @ 5A，10V53 毫欧 @ 4.4A，10V63 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 724µA2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 4.5 V13.7 nC @ 10 V14.8 nC @ 10 V19.3 nC @ 10 V20 nC @ 10 V27 nC @ 10 V30 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V55 nC @ 10 V59 nC @ 10 V60 nC @ 5 V63 nC @ 10 V82 nC @ 10 V137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±18V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V60 pF @ 25 V120 pF @ 25 V1050 pF @ 30 V1050 pF @ 80 V1300 pF @ 25 V1400 pF @ 30 V1480 pF @ 50 V2163 pF @ 30 V2569 pF @ 30 V3505 pF @ 30 V3905 pF @ 75 V4085 pF @ 50 V4500 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）275mW（Ta）360mW（Ta）1W（Ta）1.3W2.5W（Ta），104W（Tc）2.6W（Ta），113W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）5.2W（Ta），83W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）50W（Tc）60W68W（Tc）70W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PPAK（5.1x5.71）8-PQFN（5x6）DFN5060DPAKLPTSPG-TDSON-8POWERDI3333-8PowerDI5060-8PowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SOT-23-3SOT-323TO-252AA
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® SO-8SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
20结果
显示
/ 20
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
226,560
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.46763
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
4.5V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
SOT-23-3
DN3135K1-G
MOSFET N-CH 350V 72MA SOT23-3
Microchip Technology
108,960
现货
1 : ¥5.66000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.35122
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
350 V
72mA（Tj）
0V
35 欧姆 @ 150mA，0V
-
-
±20V
120 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPak SO-8L
SQJ479EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
38,463
现货
1 : ¥9.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.01919
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
32A（Tc）
4.5V，10V
33 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
4500 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK SO-8
SQJA20EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 22.5A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
2,383
现货
1 : ¥11.58000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.79335
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
22.5A（Tc）
7.5V，10V
50 毫欧 @ 10A，10V
3.5V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 25 V
-
68W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerPAK 1212-8
SI7113DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Vishay Siliconix
18,295
现货
1 : ¥13.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥5.43287
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13.2A（Tc）
4.5V，10V
134 毫欧 @ 4A，10V
3V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
1480 pF @ 50 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-252
SUD50P10-43L-E3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Vishay Siliconix
5,007
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.45228
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
37.1A（Tc）
4.5V，10V
43 毫欧 @ 9.2A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
PowerPAK SO-8
SI7489DP-T1-E3
MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
48,049
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥9.48427
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
28A（Tc）
4.5V，10V
41 毫欧 @ 7.8A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
5.2W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252
SQD50P08-25L_GE3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252AA
Vishay Siliconix
13,498
现货
1 : ¥21.76000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.82615
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
50A（Tc）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 10.5A，10V
2.5V @ 250µA
137 nC @ 10 V
±20V
5350 pF @ 25 V
-
136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-PQFN
FDMS86163P
MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
onsemi
11,958
现货
1 : ¥24.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥10.84627
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
7.9A（Ta），50A（Tc）
6V，10V
22 毫欧 @ 7.9A，10V
4V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
4085 pF @ 50 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86263P
MOSFET P-CH 150V 4.4A/22A 8PQFN
onsemi
4,677
现货
1 : ¥24.14000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.74694
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
4.4A（Ta），22A（Tc）
6V，10V
53 毫欧 @ 4.4A，10V
4V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±25V
3905 pF @ 75 V
-
2.5W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PQFN（5x6）
8-PowerTDFN
DFN5060
MCAC80P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
4,563
现货
1 : ¥25.45000
剪切带（CT）
5,000 : ¥7.78598
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
80A
10V
8 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 250µA
82 nC @ 10 V
±18V
5450 pF @ 30 V
-
120W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
SOT-323
2N7002BKW,115
MOSFET N-CH 60V 310MA SOT323
Nexperia USA Inc.
49,525
现货
1 : ¥2.55000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42781
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
310mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
275mW（Ta）
150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
DMPH4015SPSQ-13
DMP6050SPS-13
MOSFET P-CH 60V 5.7A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
4,507
现货
2,845,000
工厂
1 : ¥5.58000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.10611
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
5.7A（Ta）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
2163 pF @ 30 V
-
1.3W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerDI3333-8
DMP6023LFGQ-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
5,154
现货
462,000
工厂
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.25745
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
MBRD6100CT-TP
MCU18P10Y-TP
MOSFET P-CH 100V 18A DPAK
Micro Commercial Co
3,761
现货
1 : ¥6.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.61958
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
18A（Tc）
-
110 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 80 V
-
70W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
DFN5060
MCAC28P06Y-TP
P-CHANNEL MOSFET, DFN5060
Micro Commercial Co
3,803
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.68658
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
28A
-
40 毫欧 @ 20A，10V
2.7V @ 250µA
19.3 nC @ 10 V
±20V
1050 pF @ 30 V
-
60W
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN5060
8-PowerTDFN
1,110
现货
1 : ¥9.52000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.74155
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
19.6A（Tc）
4.5V，10V
80 毫欧 @ 16A，10V
2V @ 724µA
14.8 nC @ 10 V
±20V
1400 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
DMP6018LPSQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Diodes Incorporated
2,346
现货
10,000
工厂
1 : ¥12.23000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.50550
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
60A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 17A，10V
2.5V @ 250µA
13.7 nC @ 10 V
±20V
3505 pF @ 30 V
-
2.6W（Ta），113W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
LPTS
RSJ250P10FRATL
MOSFET P-CH 100V 25A LPTS
Rohm Semiconductor
2,349
现货
1 : ¥14.86000
剪切带（CT）
1,000 : ¥7.04648
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
25A（Tc）
4V，10V
63 毫欧 @ 25A，10V
2.5V @ 1mA
60 nC @ 5 V
±20V
8000 pF @ 25 V
-
50W（Tc）
150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LPTS
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
GSGP03150
GSFP6901
MOSFET, P-CH, SINGLE, -72A, -60V
Good-Ark Semiconductor
9,520
现货
1 : ¥15.84000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.56996
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
72A（Tc）
4.5V，10V
8.6 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
12930 pF @ 25 V
-
142W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PPAK（5.1x5.71）
8-PowerTDFN
显示
/ 20

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。