单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorMicro Commercial CoonsemiPanjit International Inc.Rohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）200mA（Ta）220mA（Ta）500mA（Ta）590mA900mA（Ta）1.1A1.4A（Ta）2.8A（Ta）3A（Ta）4.4A（Ta）5.47A（Ta）5.6A（Ta）5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，2.5V1.8V，10V1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
27 毫欧 @ 5.6A，10V29 毫欧 @ 6A，10V31 毫欧 @ 5A，10V55 毫欧 @ 4.4A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V110 毫欧 @ 3A，4.5V230 毫欧 @ 550mA，4.5V408毫欧 @ 500nA，10V460 毫欧 @ 200mA，4.5V1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V1.5 欧姆 @ 500mA，10V1.6 欧姆 @ 500mA，10V3 欧姆 @ 500mA，10V5 欧姆 @ 200mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1 nC @ 4.5 V1.4 nC @ 10 V1.72 nC @ 10 V1.8 nC @ 10 V2 nC @ 4.5 V2.8 nC @ 10 V4.8 nC @ 4.5 V5.2 nC @ 10 V5.4 nC @ 4.5 V5.5 nC @ 4.5 V7.2 nC @ 10 V12 nC @ 2.5 V
Vgs（最大值）
±8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
14 pF @ 50 V25 pF @ 10 V27 pF @ 25 V43 pF @ 10 V50 pF @ 25 V58 pF @ 30 V61 pF @ 15 V73 pF @ 25 V130 pF @ 10 V255 pF @ 15 V405 pF @ 10 V434.7 pF @ 10 V535 pF @ 15 V680 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）200mW（Ta）350mW（Ta）400mW500mW（Ta）660mW（Ta）700mW（Ta）740mW830mW1W（Ta）1.2W（Ta）1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
EMT3F（SOT-416FL）SOT-23SOT-23-3SOT-883
封装/外壳
SC-101，SOT-883SC-89，SOT-490TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
显示
/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1,344,591
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19539
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
200mA（Ta）
1.2V，2.5V
1.2 欧姆 @ 100mA，2.5V
1V @ 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
-
150mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
EMT3F（SOT-416FL）
SC-89，SOT-490
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
93,327
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.49352
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
80,955
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
83,634
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33605
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
900mA（Ta）
1.8V，4.5V
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
950mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
SI3099-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Micro Commercial Co
10,799
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32984
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A
2.5V，10V
408毫欧 @ 500nA，10V
1.5V @ 250µA
1.72 nC @ 10 V
±12V
61 pF @ 15 V
-
830mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3420UQ-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
6,000
现货
222,000
工厂
3,000 : ¥0.78634
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.47A（Ta）
1.8V，10V
29 毫欧 @ 6A，10V
1.2V @ 250µA
5.4 nC @ 4.5 V
±12V
434.7 pF @ 10 V
-
740mW
-55°C ~ 150°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS123
BSS123
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
93,709
现货
1 : ¥1.07000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.18956
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
5 欧姆 @ 200mA，10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 50 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,907
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
285,735
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32207
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
500mA（Ta）
2.5V，10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
1 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFW0202
GSFW0202
MOSFET, N-CH, SINGLE, 1.4A, 20V,
Good-Ark Semiconductor
18,402
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.23400
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.4A（Ta）
1.8V，4.5V
230 毫欧 @ 550mA，4.5V
1V @ 250µA
2 nC @ 4.5 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
BAT54
GSF2301
MOSFET, P-CH, SINGLE, -3A, -20V,
Good-Ark Semiconductor
10,974
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.36235
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
110 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 2.5 V
±12V
405 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFKW0202
GSF3400
MOSFET, N-CH, SINGLE, 5.6A, 30V,
Good-Ark Semiconductor
5,788
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41958
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.6A（Ta）
2.5V，10V
27 毫欧 @ 5.6A，10V
1.5V @ 250µA
4.8 nC @ 4.5 V
±12V
535 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
GSFKW0202
GSF3404B
MOSFET, N-CHANNEL, 30V, 5.8A, SO
Good-Ark Semiconductor
4,130
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.41958
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
4.5V，10V
31 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
5.2 nC @ 10 V
±20V
255 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
AS3401
AS3401
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
49,912
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.38299
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.4A（Ta）
2.5V，10V
55 毫欧 @ 4.4A，10V
1.4V @ 250µA
7.2 nC @ 10 V
±12V
680 pF @ 15 V
-
1.2W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23
BSS138BK-TP
N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Micro Commercial Co
54
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30787
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
590mA
2.5V，10V
1.5 欧姆 @ 500mA，10V
1.5V @ 250µA
1.4 nC @ 10 V
±20V
58 pF @ 30 V
-
830mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。