单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Cambridge GaN DevicesInfineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
CoolMOS™CoolMOS™ CFD7CoolMOS™PFD7EICeGaN™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
-N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.5A（Tc）25A（Tc）38A（Tc）45A（Tc）47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
9V，20V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 24.8A，10V54 毫欧 @ 26.5A，10V55 毫欧 @ 18A，10V125 毫欧 @ 7.8A，10V280 毫欧 @ 600mA，12V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.2V @ 2.75mA4.5V @ 1.24mA4.5V @ 390µA4.5V @ 900µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.4 nC @ 12 V36 nC @ 10 V79 nC @ 10 V92 nC @ 10 V102 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-1V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1503 pF @ 400 V3194 pF @ 400 V3722 pF @ 100 V4975 pF @ 400 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散（最大值）
32W（Tc）178W（Tc）227W（Tc）278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-DFN（5x6）PG-TO220-FPPG-TO263-3PG-TO263-3-2TO-263（D2PAK）
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-220-3 整包TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
显示
/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R055CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 38A TO263-3
Infineon Technologies
3,898
现货
1 : ¥50.00000
剪切带（CT）
1,000 : ¥28.37809
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
38A（Tc）
10V
55 毫欧 @ 18A，10V
4.5V @ 900µA
79 nC @ 10 V
±20V
3194 pF @ 400 V
-
178W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
3,277
现货
1 : ¥21.35000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
25A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 7.8A，10V
4.5V @ 390µA
36 nC @ 10 V
±20V
1503 pF @ 400 V
-
32W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
通孔
PG-TO220-FP
TO-220-3 整包
D2PAK(TO-263)
SIHB053N60E-GE3
E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Vishay Siliconix
1,010
现货
1 : ¥49.92000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
47A（Tc）
10V
54 毫欧 @ 26.5A，10V
5V @ 250µA
92 nC @ 10 V
±30V
3722 pF @ 100 V
-
278W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB65R050CFD7AATMA1
AUTOMOTIVE_COOLMOS PG-TO263-3
Infineon Technologies
830
现货
1 : ¥63.38000
剪切带（CT）
1,000 : ¥35.92849
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
45A（Tc）
10V
50 毫欧 @ 24.8A，10V
4.5V @ 1.24mA
102 nC @ 10 V
±30V
4975 pF @ 400 V
-
227W（Tc）
-40°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
CGD65B200S2-T13
CGD65B200S2-T13
650V GAN HEMT, 200MOHM, DFN5X6.
Cambridge GaN Devices
4,228
现货
1 : ¥37.35000
剪切带（CT）
5,000 : ¥17.44583
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
-
GaNFET（氮化镓）
650 V
8.5A（Tc）
9V，20V
280 毫欧 @ 600mA，12V
4.2V @ 2.75mA
1.4 nC @ 12 V
+20V，-1V
-
电流检测
-
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN（5x6）
8-PowerVDFN
显示
/ 5

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。