单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-ETrenchMOS™U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V25 V30 V600 V800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）1.5A（Ta）1.7A（Tc）1.8A（Ta）2.8A（Tc）4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
42.7 毫欧 @ 3A，4.5V90 毫欧 @ 1.8A，4.5V110 毫欧 @ 2.5A，10V2.75 欧姆 @ 1A，10V3.4 欧姆 @ 500mA，10V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1V @ 250µA1.06V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V6.3 nC @ 4.5 V6.5 nC @ 10 V7 nC @ 10 V12.8 nC @ 4.5 V19.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-8V±8V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V65 pF @ 25 V250 pF @ 24 V315 pF @ 100 V330 pF @ 10 V840 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
340mW（Ta），2.1W（Tc）350mW（Ta）420mW（Ta）1W（Ta）26W（Tc）62.5W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）TO-236ABTO-252TO-252AAUF6
封装/外壳
6-SMD，扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
365,374
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4503NT1G
MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3
onsemi
341
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.92005
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.5A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 24 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
NXV75UPR
NXV75UP/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
17,910
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50783
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 1.8A，4.5V
1V @ 250µA
6.3 nC @ 4.5 V
±8V
330 pF @ 10 V
-
340mW（Ta），2.1W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
3,895
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4A（Ta）
1.5V，4.5V
42.7 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
+6V，-8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C
表面贴装型
UF6
6-SMD，扁平引线
RB098BM-40FNSTL
R6002END3TL1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Rohm Semiconductor
2,318
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.26340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
600 V
1.7A（Tc）
10V
3.4 欧姆 @ 500mA，10V
4V @ 1mA
6.5 nC @ 10 V
±20V
65 pF @ 25 V
-
26W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
TO-252
SIHD2N80E-GE3
MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK
Vishay Siliconix
1
现货
1 : ¥11.25000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
800 V
2.8A（Tc）
10V
2.75 欧姆 @ 1A，10V
4V @ 250µA
19.6 nC @ 10 V
±30V
315 pF @ 100 V
-
62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。