单 FET，MOSFET

结果 : 16
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedInfineon TechnologiesonsemiRenesas Electronics CorporationRohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-NexFET™OptiMOS™PowerTrench®TrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）2.7A（Ta）13A（Ta）13.5A（Ta），40A（Tc）14A（Ta），54A（Tc）15A（Ta），50A（Tc）18A（Tc）22.4A（Ta），60A（Tc）25.4A（Ta），100A（Tc）26A（Ta），80A（Tc）50A（Tc）60A（Tc）100A（Tc）104A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V4.5V，10V5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 25A，10V3 毫欧 @ 50A，10V3.1mOhm @ 26A，10V3.5 毫欧 @ 50A，10V3.8 毫欧 @ 20A，10V4.9 毫欧 @ 15A，10V5.1 毫欧 @ 15A，10V5.6 毫欧 @ 15A，10V6.5 毫欧 @ 10A，4.5V8 毫欧 @ 12A，4.5V8.6 毫欧 @ 20A，10V9.3 毫欧 @ 13A，10V9.4 毫欧 @ 15A，10V9.9 毫欧 @ 9.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.15V @ 250µA1.6V @ 250µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA2.6V @ 250µA3V @ 250µA3.1V @ 105µA3.1V @ 345µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 5 V14.1 nC @ 4.5 V55 nC @ 4.5 V57.5 nC @ 10 V72 nC @ 4.5 V84 nC @ 10 V91 nC @ 10 V96 nC @ 10 V110 nC @ 10 V127 nC @ 10 V140 nC @ 10 V175 nC @ 10 V186 nC @ 10 V320 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±12V+16V，-20V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V650 pF @ 15 V2120 pF @ 10 V3490 pF @ 15 V3775 pF @ 15 V3845 pF @ 15 V4234 pF @ 20 V4280 pF @ 15 V4660 pF @ 15 V4785 pF @ 15 V5250 pF @ 15 V6909 pF @ 10 V7850 pF @ 15 V14000 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）500mW（Ta）1.5W1.7W（Ta）1.8W（Ta），200W（Tc）2.1W（Ta），69W（Tc）2.4W（Ta），41W（Tc）2.5W（Ta）2.5W（Ta），125W（Tc）2.8W（Ta），96W（Tc）3W（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）4.8W（Ta），57W（Tc）6.25W（Ta），104W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C（TJ）
供应商器件封装
8-HSOP8-SOIC8-VSONP（3x3.3）PG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8POWERDI3333-8PowerDI5060-8PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8SOT-23SOT-23-3TO-252-3TO-263
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
16结果
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/ 16
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMP2008UFG-7
MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
Diodes Incorporated
52,672
现货
1 : ¥4.60000
剪切带（CT）
2,000 : ¥1.55818
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
14A（Ta），54A（Tc）
1.5V，4.5V
8 毫欧 @ 12A，4.5V
1V @ 250µA
72 nC @ 4.5 V
±8V
6909 pF @ 10 V
-
2.4W（Ta），41W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerPAK 1212-8S
SISS27DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK 1212-8S
Vishay Siliconix
36,568
现货
1 : ¥6.65000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.52036
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.6 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
5250 pF @ 15 V
-
4.8W（Ta），57W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
8-Power TDFN
BSZ086P03NS3GATMA1
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Infineon Technologies
5,561
现货
1 : ¥7.06000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.78219
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13.5A（Ta），40A（Tc）
6V，10V
8.6 毫欧 @ 20A，10V
3.1V @ 105µA
57.5 nC @ 10 V
±25V
4785 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），69W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8S
SISS27ADN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 50A PPAK1212-8S
Vishay Siliconix
13,173
现货
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.82401
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
5.1 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
55 nC @ 4.5 V
±20V
4660 pF @ 15 V
-
57W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8S
PowerPAK® 1212-8S
TO-252-2
DMP4010SK3Q-13
MOSFET P-CH 40V 15A/50A TO252
Diodes Incorporated
7,080
现货
112,500
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.09920
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
15A（Ta），50A（Tc）
4.5V，10V
9.9 毫欧 @ 9.8A，10V
2.5V @ 250µA
91 nC @ 10 V
±25V
4234 pF @ 20 V
-
1.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-SOIC
FDS6679AZ
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC
onsemi
27,464
现货
1 : ¥7.72000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.19181
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
13A（Ta）
4.5V，10V
9.3 毫欧 @ 13A，10V
3V @ 250µA
96 nC @ 10 V
±25V
3845 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
DMPH4015SPSQ-13
DMP34M4SPS-13
MOSFET P-CH 30V 135A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
5,086
现货
855,000
工厂
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.73835
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
135A（Tc）
5V，10V
3.8 毫欧 @ 20A，10V
2.6V @ 250µA
127 nC @ 10 V
±25V
3775 pF @ 15 V
-
1.5W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PowerPAK SO-8
SI7145DP-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 60A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
53,622
现货
1 : ¥18.06000
剪切带（CT）
3,000 : ¥8.16090
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
60A（Tc）
4.5V，10V
2.6 毫欧 @ 25A，10V
2.3V @ 250µA
413 nC @ 10 V
±20V
15660 pF @ 15 V
-
6.25W（Ta），104W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PG-TDSON-8-1
BSC030P03NS3GAUMA1
MOSFET P-CH 30V 25.4/100A 8TDSON
Infineon Technologies
20,342
现货
1 : ¥22.17000
剪切带（CT）
5,000 : ¥9.60215
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
25.4A（Ta），100A（Tc）
6V，10V
3 毫欧 @ 50A，10V
3.1V @ 345µA
186 nC @ 10 V
±25V
14000 pF @ 15 V
-
2.5W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
SOT-23-3
FDN359BN
MOSFET N-CH 30V 2.7A SUPERSOT3
onsemi
120,586
现货
30,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.28054
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.7A（Ta）
4.5V，10V
46 毫欧 @ 2.7A，10V
3V @ 250µA
7 nC @ 5 V
±20V
650 pF @ 15 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SIS413DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
56,348
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.77239
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
18A（Tc）
4.5V，10V
9.4 毫欧 @ 15A，10V
2.5V @ 250µA
110 nC @ 10 V
±20V
4280 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8
SISA01DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 22.4A/60A PPAK
Vishay Siliconix
10,146
现货
1 : ¥7.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.79210
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
22.4A（Ta），60A（Tc）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 15A，10V
2.2V @ 250µA
84 nC @ 10 V
+16V，-20V
3490 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
8-Power TDFN
CSD25404Q3
MOSFET P-CH 20V 104A 8VSON
Texas Instruments
4,750
现货
1 : ¥8.70000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.59790
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
104A（Tc）
1.8V，4.5V
6.5 毫欧 @ 10A，4.5V
1.15V @ 250µA
14.1 nC @ 4.5 V
±12V
2120 pF @ 10 V
-
2.8W（Ta），96W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
HSOP8
RS1E260ATTB1
MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP
Rohm Semiconductor
14,768
现货
1 : ¥23.40000
剪切带（CT）
2,500 : ¥11.37045
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
26A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
3.1mOhm @ 26A，10V
2.5V @ 1mA
175 nC @ 10 V
±20V
7850 pF @ 15 V
-
3W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
8-HSOP
8-PowerTDFN
1,552
现货
1 : ¥42.61000
剪切带（CT）
800 : ¥25.73805
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
100A（Tc）
4.5V，10V
3.5 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 1mA
320 nC @ 10 V
±20V
15100 pF @ 10 V
-
1.8W（Ta），200W（Tc）
175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
213,333
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 16

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。