单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Nexperia USA Inc.STMicroelectronicsToshiba Semiconductor and Storage
系列
-MDmesh™ M2TrenchMOS™U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V100 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
180mA（Ta）270mA（Ta）20A（Tc）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
11.5 毫欧 @ 20A，10V180 毫欧 @ 10A，10V2.8 欧姆 @ 200mA，10V7.5 欧姆 @ 100mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 300µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 5 V1 nC @ 10 V24 nC @ 10 V35 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
23.6 pF @ 10 V36 pF @ 25 V1440 pF @ 100 V1855 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta），1.67W（Tc）350mW（Ta），1.14W（Tc）630mW（Ta），104W（Tc）170W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）175°C
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-TSON Advance（3.1x3.1）TO-236ABTO-247-3
封装/外壳
8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-247-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
NX7002BKR
MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
111,494
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.28091
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
5V，10V
2.8 欧姆 @ 200mA，10V
2.1V @ 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
-
310mW（Ta），1.67W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
663,648
现货
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.30406
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
180mA（Ta）
10V
7.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
-
350mW（Ta），1.14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-PowerVDFN PKG
TPN1200APL,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Toshiba Semiconductor and Storage
4,386
现货
1 : ¥9.93000
剪切带（CT）
5,000 : ¥2.38283
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 20A，10V
2.5V @ 300µA
24 nC @ 10 V
±20V
1855 pF @ 50 V
-
630mW（Ta），104W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance（3.1x3.1）
8-PowerVDFN
TO-247-3 HiP
STW28N65M2
MOSFET N-CH 650V 20A TO247
STMicroelectronics
297
现货
1 : ¥32.76000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
650 V
20A（Tc）
10V
180 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±25V
1440 pF @ 100 V
-
170W（Tc）
150°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。