单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-CoolMOS™ CE
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
60 V500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）190mA（Ta），300mA（Tc）7.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
5V，10V13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
800 毫欧 @ 1.5A，13V4.5 欧姆 @ 100mA，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V7.5 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA3.5V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.43 nC @ 4.5 V12.4 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 10 V50 pF @ 25 V280 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）265mW（Ta），1.33W（Tc）370mW（Ta）60W（Tc）
供应商器件封装
PG-TO252-2SOT-23-3TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
76,277
现货
1 : ¥1.23000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.20992
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
190mA（Ta），300mA（Tc）
5V，10V
4.5 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
-
265mW（Ta），1.33W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
377,565
现货
1 : ¥1.56000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.26991
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
82,981
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98624
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
0
现货
1 : ¥6.08000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.31828
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
500 V
7.6A（Tc）
13V
800 毫欧 @ 1.5A，13V
3.5V @ 130µA
12.4 nC @ 10 V
±20V
280 pF @ 100 V
-
60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TO252-2
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。