单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Vishay Siliconix
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta），3.8A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.87 毫欧 @ 25A，10V66 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 8 V109 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
561 pF @ 10 V7668 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），1.7W（Tc）291W
供应商器件封装
LFPAK56; Power-SO8SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
SOT-1023，4-LFPAKTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PSMNxRx-xxYx,115
PSMN0R9-30YLDX
MOSFET N-CH 30V 300A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
19,533
现货
1 : ¥20.52000
剪切带（CT）
1,500 : ¥9.75101
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
300A（Tc）
4.5V，10V
0.87 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 1mA
109 nC @ 10 V
±20V
7668 pF @ 15 V
-
291W
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56; Power-SO8
SOT-1023，4-LFPAK
SOT-23(TO-236)
SI2367DS-T1-BE3
P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix
2,230
现货
1 : ¥5.50000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.10074
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta），3.8A（Tc）
1.8V，4.5V
66 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1V @ 250µA
23 nC @ 8 V
±8V
561 pF @ 10 V
-
960mW（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。