Name: SI2367DS-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI2367DS-T1-BE3TR-ND
Price: 5.5 CNY
Availability: InStock

SI2367DS-T1-BE3
DigiKey 零件编号	742-SI2367DS-T1-BE3TR-ND - 卷带（TR） 742-SI2367DS-T1-BE3CT-ND - 剪切带（CT） 742-SI2367DS-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Vishay Siliconix
制造商产品编号	SI2367DS-T1-BE3
描述	P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
原厂标准交货期	18 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 P 通道 20 V 2.8A（Ta），3.8A（Tc） 960mW（Ta），1.7W（Tc） SOT-23-3（TO-236）
规格书	规格书

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Vishay Siliconix
系列	-
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	P 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	2.8A（Ta），3.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	66 毫欧 @ 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	23 nC @ 8 V
Vgs（最大值）	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	561 pF @ 10 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	960mW（Ta），1.7W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

SI2367DS-T1-BE3