单 FET,MOSFET

结果 : 3,196
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYS
系列
-AlphaSGT™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F7CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ VIDual Cool™Dual Cool™, PowerTrench®eGaN®FETKY™FRFET®, SupreMOS®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50mA50mA(Ta)160mA(Tj)175mA(Tj)250mA(Tj)350mA(Tj)430mA(Tj)450mA(Ta)630mA(Tj)700mA(Tj)890mA(Tj)1.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V1.8V,8V2.5V,10V2.5V,4.5V2.8V,10V3V,10V3.3V,10V4V,10V4.3V,10V4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
0.3mOhm @ 200A,10V0.39mOhm @ 100A, 10V0.4 毫欧 @ 50A,10V0.42 毫欧 @ 50A,10V0.44 毫欧 @ 88A,10V0.45 毫欧 @ 50A,10V0.47 毫欧 @ 50A,10V0.48 毫欧 @ 50A,10V0.49 毫欧 @ 50A,10V0.51mOhm @ 100A, 10V0.52 毫欧 @ 50A,10V0.52 毫欧 @ 88A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 250µA1V @ 250µA(最小)1.2V @ 1mA1.4V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 1mA1.5V @ 250µA1.6V @ 1mA1.6V @ 250µA1.6V @ 500µA1.8V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.45 nC @ 5 V1.1 nC @ 4.2 V1.8 nC @ 10 V2.2 nC @ 4.2 V2.5 nC @ 5 V2.8 nC @ 5 V3.5 nC @ 4.5 V3.5 nC @ 10 V3.6 nC @ 10 V3.8 nC @ 4.5 V3.9 nC @ 4.5 V4.4 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-6.5V+5V,-16V+5V,-20V+6V,-4V+6V,-5V±8V+10V,-20V±10V±12V±15V+16V,-10V±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
3.5 pF @ 15 V52 pF @ 20 V60 pF @ 25 V65 pF @ 25 V70 pF @ 20 V113 pF @ 20 V125 pF @ 20 V130 pF @ 10 V150 pF @ 20 V150 pF @ 25 V160 pF @ 20 V170 pF @ 20 V
FET 功能
-温度检测二极管电流检测肖特基二极管(体)肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
350mW360mW(Ta)375mW375mW(Ta)460mW(Ta),5W(Tc)480mW(Ta),6.25W(Tc)490mW(Ta),6.25W(Tc)500mW(Ta)610mW(Ta),61W(Tc)615mW(Ta),7.5W(Tc)630mW(Ta),104W(Tc)630mW(Ta),86W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 100°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TA)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 185°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q100AEC-Q101
安装类型
-底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)6-DFN(2x2)6-MicroFET(2x2)6-PQFN 双通道(2x2)6-QFN(2x2)6-TSOP6-TSOP-F6-UDFN(2x2)6-UDFNB(2x2)6-WDFNW(2.05x2.05)8-DFN-EP(3.3x3.3)
封装/外壳
3-PowerSMD,引线3-SMD,无引线3-WDSON5-PowerSFN6-PowerUDFN6-PowerVDFN6-PowerWDFN6-SMD,扁平引线6-UDFN 裸露焊盘6-WDFN 裸露焊盘8-PowerBSFN8-PowerDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3,196结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3,196
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
PMV60ENEAR
MOSFET N-CH 40V 3A TO236AB
Nexperia USA Inc.
37,828
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.82922
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3A(Ta)
4.5V,10V
75 毫欧 @ 3A,10V
2.5V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
180 pF @ 20 V
-
615mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D120-40EX
MOSFET N-CH 40V 2.9A/5.7A 6DFN
Nexperia USA Inc.
44,262
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.89931
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.9A(Ta),5.7A(Tc)
4.5V,10V
120 毫欧 @ 2.9A,10V
2.5V @ 250µA
3.6 nC @ 10 V
±20V
113 pF @ 20 V
-
2W(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
336,584
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.60092
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Tc)
4.5V,10V
44 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
20,901
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.22234
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta)
4.5V,10V
11.6 毫欧 @ 4A,10V
2.4V @ 100µA
7.5 nC @ 4.5 V
±20V
1110 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
SI2318CDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
4,280
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.97328
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
5.6A(Tc)
4.5V,10V
42 毫欧 @ 4.3A,10V
2.5V @ 250µA
9 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta),2.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
37,154
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27198
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Tc)
2.5V,10V
26 毫欧 @ 9A,10V
1.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT-23-3
IRLML0040TRPBF
MOSFET N-CH 40V 3.6A SOT23
Infineon Technologies
42,254
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.06411
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.6A(Ta)
4.5V,10V
56 毫欧 @ 3.6A,10V
2.5V @ 25µA
3.9 nC @ 4.5 V
±16V
266 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-DFN2020MD_View 2
BUK6D43-40PX
MOSFET P-CH 40V 6A DFN2020MD-6
Nexperia USA Inc.
20,629
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34171
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6A(Ta)
4.5V,10V
43 毫欧 @ 6A,10V
2.7V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
1260 pF @ 20 V
-
15W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
DFN2020MD-6
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
SI2318DS-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
50,564
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.40652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 20 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2318DS-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
6,260
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.40652
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 3.9A,10V
3V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
540 pF @ 20 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMP4047LFDE-7
MOSFET P-CH 40V 3.3A 6UDFN
Diodes Incorporated
53,251
现货
1,056,000
工厂
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.47748
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.3A(Ta)
4.5V,10V
33 毫欧 @ 4.4A,10V
2.2V @ 250µA
23.2 nC @ 10 V
±20V
1382 pF @ 20 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
TSOT-23-6, TSOT-6
IRF5803TRPBF
MOSFET P-CH 40V 3.4A MICRO6
Infineon Technologies
42,299
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.47258
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
3.4A(Ta)
4.5V,10V
112 毫欧 @ 3.4A,10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1110 pF @ 25 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro6™(TSOP-6)
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
SOT-23-3
SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Vishay Siliconix
45,093
现货
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.52884
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.4A(Tc)
4.5V,10V
77 毫欧 @ 3.1A,10V
2.5V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
595 pF @ 20 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-SOIC
SI4447ADY-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 7.2A 8SO
Vishay Siliconix
5,545
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.77241
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Tc)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 5A,10V
2.5V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
970 pF @ 20 V
-
4.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252-2
DMP4051LK3-13
MOSFET P-CH 40V 7.2A TO252-3
Diodes Incorporated
29,968
现货
1,782,500
工厂
1 : ¥4.76000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.60346
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
7.2A(Ta)
4.5V,10V
51 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
14 nC @ 10 V
±20V
674 pF @ 20 V
-
2.14W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
125,954
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.84332
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
20A(Tc)
4.5V,10V
30 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
10.8 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),37W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
81,482
现货
1 : ¥4.84000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.63892
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
40A(Tc)
4.5V,10V
22 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),62.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
9,094
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.88028
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
48A(Tc)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 15A,4.5V
2.4V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
2040 pF @ 20 V
-
69W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
174,057
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.68784
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
10A(Ta)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 10A,10V
3V @ 250µA
37 nC @ 10 V
±20V
1950 pF @ 20 V
-
1.7W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252, (D-Pak)
AOD4184A
MOSFET N-CH 40V 13A/50A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
204,508
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.03237
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
13A(Ta),50A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2.6V @ 250µA
33 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 20 V
-
2.3W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-DFN
AON6236
MOSFET N-CH 40V 19A/30A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
199,786
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.76512
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
19A(Ta),30A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2.4V @ 250µA
26 nC @ 10 V
±20V
1225 pF @ 20 V
-
4.2W(Ta),39W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-DFN(5x6)
8-PowerSMD,扁平引线
SOT-23-3
SQ2389ES-T1_BE3
MOSFET P-CH 40V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
98,580
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.05835
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
4.1A(Tc)
4.5V,10V
94 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
420 pF @ 20 V
-
3W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
45,339
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82237
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Tc)
4.5V,10V
47 毫欧 @ 4.4A,10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
16,221
现货
1 : ¥5.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.18596
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
14A(Ta)
4.5V,10V
11.5 毫欧 @ 14A,10V
3V @ 250µA
22 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 20 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
SOT-23-3
SI2319DS-T1-E3
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Vishay Siliconix
127,188
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.24505
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
2.3A(Ta)
4.5V,10V
82 毫欧 @ 3A,10V
3V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
470 pF @ 20 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。