270A（Tc） 单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Diodes IncorporatedIXYSMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronics
系列
-HiperFET™, TrenchT3™PowerTrench®STripFET™ IIITrench
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
产品状态
停产最后售卖在售
漏源电压（Vdss）
25 V40 V60 V80 V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V7V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.98 毫欧 @ 25A，10V1.3 毫欧 @ 30A，10V1.5 毫欧 @ 80A，10V1.7 毫欧 @ 30A，10V1.7 毫欧 @ 34A，10V1.8 毫欧 @ 25A，10V2 毫欧 @ 30A，10V2.2 毫欧 @ 50A，10V2.4 毫欧 @ 50A，10V3.1 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 2mA4V @ 1mA4V @ 250µA4.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
120 nC @ 10 V135.6 nC @ 10 V138 nC @ 10 V150 nC @ 10 V182 nC @ 10 V200 nC @ 10 V222 nC @ 10 V249 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7452 pF @ 12 V7500 pF @ 25 V8010 pF @ 25 V8894 pF @ 50 V9140 pF @ 25 V12600 pF @ 25 V15319 pF @ 40 V19110 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），250W（Tc）6W（Ta），250W（Tc）224W（Tc）300W（Tc）341W（Tc）375W（Tc）391W（Tj）468W（Tj）480W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
10-PowerSOLFPAK56，Power-SO8LFPAK88（SOT1235）POWERDI1012-8TO-220-3TO-247（IXTH）TO-263-7TO-263-7（IXTA）TO-263AATOLL-8L
封装/外壳
8-PowerSFNPowerSO-10 裸露底部焊盘SC-100，SOT-669SOT-1235TO-220-3TO-247-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263ABTO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-263
FDB0190N807L
MOSFET N-CH 80V 270A TO263-7
onsemi
800
现货
800
工厂
1 : ¥46.71000
剪切带（CT）
800 : ¥28.20995
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
270A（Tc）
8V，10V
1.7 毫欧 @ 34A，10V
4V @ 250µA
249 nC @ 10 V
±20V
19110 pF @ 40 V
-
3.8W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
8-PowerSFN
DMTH8001STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
3,013
现货
28,500
工厂
1 : ¥30.62000
剪切带（CT）
1,500 : ¥20.36563
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
270A（Tc）
10V
1.7 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
138 nC @ 10 V
±20V
8894 pF @ 50 V
-
6W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMNR89-25YLEX
PSMNR89-25YLE/SOT669/LFPAK
Nexperia USA Inc.
1,450
现货
1 : ¥21.92000
剪切带（CT）
1,500 : ¥8.14239
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
270A（Tc）
7V，10V
0.98 毫欧 @ 25A，10V
2.2V @ 2mA
120 nC @ 10 V
±20V
7452 pF @ 12 V
-
224W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
MCTL300N10YHE3-TP
MCTL270N04Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L
Micro Commercial Co
3,990
现货
1 : ¥26.35000
剪切带（CT）
2,000 : ¥12.83598
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
6V，10V
2 毫欧 @ 30A，10V
4.4V @ 250µA
135.6 nC @ 10 V
±20V
8010 pF @ 25 V
-
391W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TOLL-8L
8-PowerSFN
PSMN1R9-80SSEJ
PSMN1R8-80SSFJ
NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Nexperia USA Inc.
1,812
现货
1 : ¥56.24000
剪切带（CT）
2,000 : ¥20.11420
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
270A（Tc）
7V，10V
1.8 毫欧 @ 25A，10V
4V @ 1mA
222 nC @ 10 V
±20V
15319 pF @ 40 V
-
341W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
LFPAK88（SOT1235）
SOT-1235
TO-263AB
IXFA270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO263AA
IXYS
300
现货
300 : ¥32.74017
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270A（Tc）
10V
3.1 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
480W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-220-3
IXTP270N04T4
MOSFET N-CH 40V 270A TO220AB
IXYS
300
现货
1 : ¥34.65000
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
2.4 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
182 nC @ 10 V
±15V
9140 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO-247_IXFH
IXFH270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO247
IXYS
300
现货
300 : ¥39.50700
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270A（Tc）
10V
3.1 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
480W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
PowerSO-10
STV270N4F3
MOSFET N-CH 40V 270A 10POWERSO
STMicroelectronics
1,140
现货
1 : ¥45.32000
剪切带（CT）
600 : ¥27.36352
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
1.5 毫欧 @ 80A，10V
4V @ 250µA
150 nC @ 10 V
±20V
7500 pF @ 25 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
10-PowerSO
PowerSO-10 裸露底部焊盘
0
现货
查看交期
2,000 : ¥13.31128
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
6V，10V
1.3 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
135.6 nC @ 10 V
±20V
8010 pF @ 25 V
-
468W（Tj）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TOLL-8L
8-PowerSFN
8-PowerSFN
DMTH8001STLW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
Diodes Incorporated
0
现货
1,500
工厂
查看交期
1,500 : ¥22.18609
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
270A（Tc）
10V
1.7 毫欧 @ 30A，10V
4V @ 250µA
138 nC @ 10 V
±20V
8894 pF @ 50 V
-
6W（Ta），250W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
POWERDI1012-8
8-PowerSFN
TO-263AB
IXTA270N04T4
MOSFET N-CH 40V 270A TO263AA
IXYS
0
现货
50 : ¥30.07440
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
2.2 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
182 nC @ 10 V
±15V
9140 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263AA
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
TO-263-7
IXTA270N04T4-7
MOSFET N-CH 40V 270A TO263-7
IXYS
0
现货
50 : ¥30.07440
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
2.2 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
182 nC @ 10 V
±15V
9140 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263-7（IXTA）
TO-263-7，D2PAK（6 引线 + 凸片）
TO-247-AD-EP-(H)
IXTH270N04T4
MOSFET N-CH 40V 270A TO247
IXYS
0
现货
30 : ¥37.33567
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
270A（Tc）
10V
2.4 毫欧 @ 50A，10V
4V @ 250µA
182 nC @ 10 V
±15V
9140 pF @ 25 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-247（IXTH）
TO-247-3
TO-220-3
IXFP270N06T3
MOSFET N-CH 60V 270A TO220AB
IXYS
0
现货
50 : ¥38.89020
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270A（Tc）
10V
3.1 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 250µA
200 nC @ 10 V
±20V
12600 pF @ 25 V
-
480W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
/ 15

270A（Tc） 单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。