单 FET,MOSFET

结果 : 1,303
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierIXYSLittelfuse Inc.
系列
-DepletioneGaN®GigaMOS™GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™HEXFET®HEXFET®, StrongIRFET™HiPerFET™HiPerFET™, PolarHiPerFET™, Q ClassHiPerFET™, Q3 ClassHiPerFET™, Trench
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35mA(Ta)60mA(Ta)65mA(Ta)70mA(Ta)100mA(Ta)110mA(Ta)120mA(Ta)122mA(Ta)137mA(Ta)175mA(Tj)180mA(Ta)200mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V,10V1.8V,4.5V2V,2.8V2.4V,10V2.6V,10V2.6V,5V2.8V3V,5V4V,10V4V,5V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.7 毫欧 @ 1600A,10V3.1 毫欧 @ 32A,5V3.5 毫欧 @ 150A,10V3.6 毫欧 @ 290A,10V3.8 毫欧 @ 430A,10V4 毫欧 @ 150A,10V4.7 毫欧 @ 200A,10V5 毫欧 @ 158.5A,10V5 毫欧 @ 186A,10V5 毫欧 @ 208.5A,10V5.5 毫欧 @ 110A,10V6 毫欧 @ 158.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 400µA1.4V @ 250µA1.5V @ 1mA1.6V @ 1mA1.8V @ 1mA1.8V @ 400µA2V @ 1mA2V @ 250µA2V @ 250µA(最小)2.2V @ 250µA2.4V @ 1mA2.5V @ 1.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.9 nC @ 10 V1.2 nC @ 10 V1.3 nC @ 5 V1.8 nC @ 5 V2.4 nC @ 10 V2.9 nC @ 5 V3.82 nC @ 10 V3.9 nC @ 10 V4.3 nC @ 5 V4.4 nC @ 10 V5.2 nC @ 5 V5.29 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V+6V,-5V±10V±15V±16V±20V±25V±30V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
25 pF @ 100 V45 pF @ 25 V50 pF @ 25 V60 pF @ 25 V85 pF @ 25 V88 pF @ 25 V90 pF @ 20 V90 pF @ 25 V100 pF @ 25 V120 pF @ 25 V125 pF @ 25 V140 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测耗尽模式
功率耗散(最大值)
250mW(Tc)330mW(Ta)350mW(Ta)500mW(Ta)580mW(Ta),12.5W(Tc)625mW(Ta)700mW(Ta)700mW(Ta),39W(Tc)750mW(Ta)800mW(Ta),142W(Tc)800mW(Ta),15W(Tc)800mW(Ta),25W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603MIL-PRF-19500/614
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-CPH4-DIP,Hexdip,HVMDIP4-HVMDIP6-TSOP7-QFN(3x5)8-DSOP Advance8-HSOP8-HVSON(5x6)8-MLP(3.3x3.3)8-MLP(5x6),Power568-PPAK(4.9x5.8)8-PQFN(5x6)
封装/外壳
3-SMD,无引线4-DIP(0.300",7.62mm)6-TSSOP,SC-88,SOT-3637-PowerWQFN8-PowerSFN8-PowerSMD,鸥翼8-PowerSOIC(0.173",4.40mm 宽)8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
1,303结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 1,303
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVN3320FTA
MOSFET N-CH 200V 60MA SOT23-3
Diodes Incorporated
41,700
现货
7,218,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18435
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
60mA(Ta)
10V
25 欧姆 @ 100mA,10V
3V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
330mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
ZVP1320FTA
MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Diodes Incorporated
44,149
现货
549,000
工厂
1 : ¥4.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.50478
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35mA(Ta)
10V
80 欧姆 @ 50mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252AA
FDD7N20TM
MOSFET N-CH 200V 5A D-PAK
onsemi
11,719
现货
1 : ¥6.73000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.54517
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 2.5A,10V
5V @ 250µA
6.7 nC @ 10 V
±30V
250 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB PKG
IRF640NPBF
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Infineon Technologies
52,410
现货
1 : ¥6.81000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
18A(Tc)
10V
150 毫欧 @ 11A,10V
4V @ 250µA
67 nC @ 10 V
±20V
1160 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA456DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 2.6A PPAK SC70
Vishay Siliconix
21,609
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.05599
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
2.6A(Tc)
1.8V,4.5V
1.38 欧姆 @ 750mA,4.5V
1.4V @ 250µA
14.5 nC @ 10 V
±16V
350 pF @ 100 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
TO252-3
IRFR220NTRPBF
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Infineon Technologies
10,390
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.93390
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5A(Tc)
10V
600 毫欧 @ 2.9A,10V
4V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
300 pF @ 25 V
-
43W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-Power TDFN
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Infineon Technologies
444
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.41925
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 13µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON
Infineon Technologies
20,995
现货
1 : ¥9.11000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.59926
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 13µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FQD7P20TM
MOSFET P-CH 200V 5.7A DPAK
onsemi
17,442
现货
1 : ¥9.36000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.86866
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
5.7A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 2.85A,10V
5V @ 250µA
25 nC @ 10 V
±30V
770 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),55W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN102-200Y,115
MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
60,873
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
1,500 : ¥4.26631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
21.5A(Tc)
10V
102 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 1mA
30.7 nC @ 10 V
±20V
1568 pF @ 30 V
-
113W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK56,Power-SO8
SC-100,SOT-669
SOT-223-4
BSP149H6327XTSA1
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Infineon Technologies
26,463
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
1,000 : ¥4.48346
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
660mA(Ta)
0V,10V
1.8 欧姆 @ 660mA,10V
1V @ 400µA
14 nC @ 5 V
±20V
430 pF @ 25 V
耗尽模式
1.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT223-4
TO-261-4,TO-261AA
PowerPak SO-8L
SQJ454EP-T1_GE3
MOSFET N-CH 200V 13A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,192
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.27271
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
13A(Tc)
4.5V,10V
145 毫欧 @ 7.5A,10V
2.5V @ 250µA
85 nC @ 10 V
±20V
2600 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9220TRPBF
MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
Vishay Siliconix
10,055
现货
1 : ¥10.67000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.41080
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.6A(Tc)
10V
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
4V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
340 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220AB
IRF9640PBF
MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
Vishay Siliconix
26,160
现货
1 : ¥11.33000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 6.6A,10V
4V @ 250µA
44 nC @ 10 V
±20V
1200 pF @ 25 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
IRF7820TRPBF
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
Infineon Technologies
3,862
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
4,000 : ¥5.17253
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.7A(Ta)
10V
78 毫欧 @ 2.2A,10V
5V @ 100µA
44 nC @ 10 V
±20V
1750 pF @ 100 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
RB098BM-40FNSTL
RD3T100CNTL1
MOSFET N-CH 200V 10A TO252
Rohm Semiconductor
7,500
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.64644
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
10A(Tc)
10V
182 毫欧 @ 5A,10V
5.25V @ 1mA
25 nC @ 10 V
±30V
1400 pF @ 25 V
-
85W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRFR4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A DPAK
Infineon Technologies
4,661
现货
1 : ¥12.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.68064
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
78 毫欧 @ 15A,10V
5V @ 100µA
38 nC @ 10 V
±20V
1710 pF @ 50 V
-
144W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPAK SO-8 Pkg
SIR690DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
16,195
现货
1 : ¥13.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.91114
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
34.4A(Tc)
7.5V,10V
35 毫欧 @ 20A,10V
4V @ 250µA
37 nC @ 7.5 V
±20V
1935 pF @ 100 V
-
104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
22,350
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.74650
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
13A(Ta)
10V
64 毫欧 @ 6.5A,10V
4V @ 300µA
11.2 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 100 V
-
1.6W(Ta),57W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance(5x5)
8-PowerVDFN
8-Power TDFN
BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Infineon Technologies
44,274
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.81522
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
15.2A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 7.6A,10V
4V @ 30µA
11.6 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO-252AA
FDD18N20LZ
MOSFET N-CH 200V 16A DPAK
onsemi
16,773
现货
1 : ¥14.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.61694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
16A(Tc)
5V,10V
125 毫欧 @ 8A,10V
2.5V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1575 pF @ 25 V
-
89W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
8-SOIC
FDS2670
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
onsemi
4,885
现货
1 : ¥14.70000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.62797
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3A(Ta)
10V
130 毫欧 @ 3A,10V
4.5V @ 250µA
43 nC @ 10 V
±20V
1228 pF @ 100 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
D2PAK SOT404
PHB33NQ20T,118
MOSFET N-CH 200V 32.7A D2PAK
Nexperia USA Inc.
6,024
现货
1 : ¥15.27000
剪切带(CT)
800 : ¥8.53615
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
32.7A(Tc)
10V
77 毫欧 @ 15A,10V
4V @ 1mA
32.2 nC @ 10 V
±20V
1870 pF @ 25 V
-
230W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-SOIC
FDS2672
MOSFET N-CH 200V 3.9A 8SOIC
onsemi
6,895
现货
1 : ¥15.35000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.93344
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
3.9A(Ta)
6V,10V
70 毫欧 @ 3.9A,10V
4V @ 250µA
46 nC @ 10 V
±20V
2535 pF @ 100 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,438
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.03602
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
12A(Tc)
6V,10V
213 毫欧 @ 1A,4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
显示
/ 1,303

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。