单 FET,MOSFET

结果 : 460
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris CorporationInfineon TechnologiesInternational RectifierMicro Commercial CoNexperia USA Inc.Nuvoton Technology CorporationNXP Semiconductors
系列
-FemtoFET™HEXFET®NexFET™PowerTrench®STripFET™ VTrenchFET®TrenchFET® Gen IIITrenchMOS™U-MOSVIU-MOSVIIU-MOSVII-HµCool™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)384mA(Ta)480mA(Ta)500mA(Ta)500mA(Tc)750mA(Ta)850mA(Ta)870mA(Ta)1A(Ta)1.18A(Ta)1.2A(Ta)1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0.9V,2.5V0.9V,4.5V1.2V,2.5V1.2V,4.5V1.3V,4.5V1.5V,3.7V1.5V,4.5V1.8V,3.3V1.8V,4.5V1.8V,4V1.8V,8V2.5V,4.5V2.5V,8V2.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.2 毫欧 @ 20A,10V1.7 毫欧 @ 20A,4.5V2.5 毫欧 @ 15A,4.5V2.6 毫欧 @ 29A,4.5V2.7 毫欧 @ 15A,4.5V2.75mOhm @ 6A,4.5V3 毫欧 @ 12.5A,4.5V3 毫欧 @ 15A,4.5V3 毫欧 @ 25A,4.5V3 毫欧 @ 8A,4.5V3.25 毫欧 @ 20A,10V3.7 毫欧 @ 18.6A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
400mV @ 250µA(最小)450mV @ 1mA(最小)450mV @ 250µA(最小)500mV @ 250µA(最小)600mV @ 1.2mA(最小)600mV @ 1mA(典型值)600mV @ 250µA(最小)600mV @ 500µA(最小)650mV @ 250µA680mV @ 1mA(典型值)700mV @ 1mA(典型值)700mV @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 4.5 V0.71 nC @ 4.5 V0.84 nC @ 4.5 V0.96 nC @ 4.5 V1.14 nC @ 4.5 V1.14 nC @ 6 V1.2 nC @ 4.5 V1.23 nC @ 4.5 V1.35 nC @ 4.5 V1.35 nC @ 6 V1.4 nC @ 4.5 V1.45 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
-8V-8V, 0V-6V-5V±5V±6V±8V8V±9V±10V±12V±15V±20V-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
21 pF @ 6 V35 pF @ 9.6 V50 pF @ 10 V55.4 pF @ 10 V60 pF @ 10 V62 pF @ 6 V106 pF @ 10 V120 pF @ 6 V143 pF @ 10 V147 pF @ 6 V156 pF @ 6 V170 pF @ 6 V
FET 功能
-肖特基二极管(隔离式)
功率耗散(最大值)
120mW(Ta)170mW(Ta)190mW(Ta)200mW(Ta)236mW(Ta)290mW(Ta)317mW(Ta),8.33W(Tc)320mW(Ta)340mW(Ta)350mW(Tc)360mW(Ta)370mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 85°C(TA)125°C(TJ)150°C150°C(TJ)-
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
-表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-CPH3-PICOSTAR3-XLLGA(0.62x0.62)4-CSP(0.8x0.8)4-CSP(1x1)4-DSBGA(1x1)4-MICRO FOOT®(0.8x0.8)4-MICRO FOOT®(1.6x1.6)4-Microfoot4-WLCSP(0.78x0.78)6-CMFPAK6-CPH
封装/外壳
3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线3-UFDFN3-XDFN3-XDFN 裸露焊盘3-XFDFN4-UFBGA4-UFBGA,DSBGA4-UFBGA,WLBGA4-XFBGA4-XFBGA,CSPBGA4-XFBGA,DSBGA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
460结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 460
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
361,489
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75549
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Ta)
1.8V,8V
17.6 毫欧 @ 6A,8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT 23
SI2333-TP
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Micro Commercial Co
43,772
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71245
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Tc)
4.5V
150 毫欧 @ 500mA,1.5V
1V @ 250µA
2 nC @ 4.5 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
350mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
125,862
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.88633
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 4.3A,4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23-3
Vishay Siliconix
51,266
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10687
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Tc)
1.5V,4.5V
28 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
35 nC @ 8 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
1.2W(Ta),1.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
52,706
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.20104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.6A(Ta)
1.8V,4.5V
40 毫欧 @ 2.6A,4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type E
DMN1019UFDE-7
MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
Diodes Incorporated
126,681
现货
1,161,000
工厂
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.26861
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
11A(Ta)
1.2V,4.5V
10 毫欧 @ 9.7A,4.5V
800mV @ 250µA
50.6 nC @ 8 V
±8V
2425 pF @ 10 V
-
690mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(E 类)
6-PowerUDFN
SOT-23-3
SI2315BDS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Vishay Siliconix
78,484
现货
1 : ¥4.27000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.43343
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3A(Ta)
1.8V,4.5V
50 毫欧 @ 3.85A,4.5V
900mV @ 250µA
15 nC @ 4.5 V
±8V
715 pF @ 6 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
U-DFN2020-6 Type F
DMP1005UFDF-7
MOSFET P-CH 12V 26A 6UDFN
Diodes Incorporated
3,437
现货
1 : ¥4.35000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30541
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
26A(Tc)
1.8V,4.5V
8.5 毫欧 @ 5A,4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2475 pF @ 6 V
-
2.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
U-DFN2020-6(F 类)
6-UDFN 裸露焊盘
PowerDI3333-8
DMN1004UFV-7
MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333
Diodes Incorporated
73,397
现货
50,000
工厂
1 : ¥4.52000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.52731
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
70A(Tc)
2.5V,4.5V
3.8 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
47 nC @ 8 V
±8V
2385 pF @ 6 V
-
1.9W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
SOT-23-3
SI2333CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
19,636
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65846
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
7.1A(Tc)
1.8V,4.5V
35 毫欧 @ 5.1A,4.5V
1V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1225 pF @ 6 V
-
1.25W(Ta),2.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
SI2333DS-T1-E3
MOSFET P-CH 12V 4.1A SOT23-3
Vishay Siliconix
42,127
现货
1 : ¥6.81000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.58532
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
4.1A(Ta)
1.8V,4.5V
32 毫欧 @ 5.3A,4.5V
1V @ 250µA
18 nC @ 4.5 V
±8V
1100 pF @ 6 V
-
750mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SG6858TZ
FDC606P
MOSFET P-CH 12V 6A SUPERSOT6
onsemi
6,968
现货
1 : ¥7.22000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.97449
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
6A(Ta)
1.8V,4.5V
26 毫欧 @ 6A,4.5V
1.5V @ 250µA
25 nC @ 4.5 V
±8V
1699 pF @ 6 V
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SuperSOT™-6
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
CSDxxxxF4T
CSD23381F4T
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
3,569
现货
1,000
市场
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
250 : ¥4.33640
卷带(TR)
1,000 : ¥2.54986
散装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
散装
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.3A(Ta)
1.8V,4.5V
175 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.2V @ 250µA
1.14 nC @ 6 V
-8V
236 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
IRF7410TRPBF
MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Infineon Technologies
4,226
现货
1 : ¥9.28000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.82678
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
16A(Ta)
1.8V,4.5V
7 毫欧 @ 16A,4.5V
900mV @ 250µA
91 nC @ 4.5 V
±8V
8676 pF @ 10 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6-WDFN Exposed Pad
FDMA905P
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
onsemi
4,537
现货
1 : ¥10.75000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.45833
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
10A(Ta)
1.8V,4.5V
16 毫欧 @ 10A,4.5V
1V @ 250µA
29 nC @ 6 V
±8V
3405 pF @ 6 V
-
2.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-MicroFET(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
8-SOIC
SI4838BDY-T1-GE3
MOSFET N-CH 12V 34A 8SO
Vishay Siliconix
5,502
现货
1 : ¥12.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.31966
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
34A(Tc)
1.8V,4.5V
2.7 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
84 nC @ 4.5 V
±8V
5760 pF @ 6 V
-
2.5W(Ta),5.7W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
SI4866DY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 11A 8SO
Vishay Siliconix
3,960
现货
1 : ¥17.40000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.83005
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
11A(Ta)
2.5V,4.5V
5.5 毫欧 @ 17A,4.5V
600mV @ 250µA(最小)
30 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
1.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
CSDxxxxF4T
CSD13381F4
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Texas Instruments
469,310
现货
1 : ¥2.46000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.43988
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.1A(Ta)
1.8V,4.5V
180 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.1V @ 250µA
1.4 nC @ 4.5 V
8V
200 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
CSDxxxxF4T
CSD23381F4
MOSFET P-CH 12V 2.3A 3PICOSTAR
Texas Instruments
253,493
现货
1 : ¥2.55000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.45116
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.3A(Ta)
1.8V,4.5V
175 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.2V @ 250µA
1.14 nC @ 4.5 V
-8V
236 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
3-XFDFN Exposed Pad
PMXB65UPEZ
MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3
Nexperia USA Inc.
70,075
现货
1 : ¥2.63000
剪切带(CT)
5,000 : ¥0.64427
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
3.2A(Ta)
1.2V,4.5V
72 毫欧 @ 3.2A,4.5V
1V @ 250µA
12 nC @ 4.5 V
±8V
634 pF @ 6 V
-
317mW(Ta),8.33W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DFN1010D-3
3-XDFN 裸露焊盘
PowerPak SC-70-6 Single
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
87,866
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08063
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
12A(Tc)
1.5V,4.5V
13.5 毫欧 @ 7A,4.5V
850mV @ 250µA
80 nC @ 8 V
±8V
2880 pF @ 6 V
-
19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
2,561
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.99473
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
10A(Ta)
1.8V,8V
16.2 毫欧 @ 4A,8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1.25W(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
3-Picostar
CSD13383F4
MOSFET N-CH 12V 2.9A 3PICOSTAR
Texas Instruments
1,009,614
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61560
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2.9A(Ta)
2.5V,4.5V
44 毫欧 @ 500mA,4.5V
1.25V @ 250µA
2.6 nC @ 4.5 V
±10V
291 pF @ 6 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
3-PICOSTAR
3-XFDFN
3-XFDFN
DMN1260UFA-7B
MOSFET N-CH 12V 500MA 3DFN
Diodes Incorporated
23,666
现货
110,000
工厂
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.44670
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
500mA(Ta)
1.5V,4.5V
366 毫欧 @ 200mA,4.5V
1V @ 250µA
0.96 nC @ 4.5 V
±8V
60 pF @ 10 V
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
X2-DFN0806-3
3-XFDFN
TUMT3
RZF020P01TL
MOSFET P-CH 12V 2A TUMT3
Rohm Semiconductor
9,855
现货
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27252
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
2A(Ta)
1.5V,4.5V
105 毫欧 @ 2A,4.5V
1V @ 1mA
6.5 nC @ 4.5 V
±10V
770 pF @ 6 V
-
800mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TUMT3
3-SMD,扁平引线
显示
/ 460

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。