单 FET,MOSFET

结果 : 3,640
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCFairchild SemiconductorGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorHarris Corporation
系列
-AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, UltraFET™CMSDeepGATE™, STripFET™DeepGATE™, STripFET™ VIIDepletionDual Cool™, PowerTrench®eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)带盒(TB)托盘散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiC(碳化硅结晶体管)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
75mA(Ta)100mA(Ta)120mA(Tj)140mA(Ta)150mA(Ta)160mA(Ta)170mA170mA Tj)170mA(Ta)170mA(Tj)190mA(Ta)200mA
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
0V0V,10V2.8V,10V3V,10V3V,4.5V4V,10V4V,5V4.3V,10V4.5V4.5V,10V5V5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.28 毫欧 @ 100A,10V1.35 毫欧 @ 932A,10V1.4 毫欧 @ 100A,10V1.4 毫欧 @ 150A,10V1.45 毫欧 @ 30A,10V1.5 毫欧 @ 100A,10V1.5 毫欧 @ 150A,10V1.5 毫欧 @ 80A,10V1.53 毫欧 @ 100A,10V1.55 毫欧 @ 30A,10V1.6 毫欧 @ 100A,10V1.6 毫欧 @ 275A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 170µA1V @ 380µA1.3V @ 7mA1.5V @ 1mA1.6V @ 250µA1.8V @ 100µA1.8V @ 13µA1.8V @ 218µA1.8V @ 400µA1.8V @ 50µA2V @ 1.037mA2V @ 1.04mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.044 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.48 nC @ 5 V0.6 nC @ 10 V0.63 nC @ 10 V0.74 nC @ 10 V0.9 nC @ 10 V0.91 nC @ 5 V1 nC @ 5 V1.3 nC @ 10 V1.4 nC @ 10 V1.8 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V+6V,-5V+7V,-10V±8V+10V,-8V±10V+12V,-5V±12V±14V±15V±16V±17V+20V,-12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
8.4 pF @ 50 V14 pF @ 20 V14 pF @ 25 V14 pF @ 50 V15 pF @ 20 V15 pF @ 50 V20 pF @ 25 V20.9 pF @ 25 V21.5 pF @ 25 V25 pF @ 25 V29 pF @ 25 V30 pF @ 50 V
FET 功能
-电流检测耗尽模式
功率耗散(最大值)
200mW200mW(Ta)225mW(Ta)250mW(Ta)280mW(Tj)298mW(Ta)300mW(Ta)328mW(Ta)330mW(Ta)350mW350mW(Ta)360mW
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 125°C-55°C ~ 150°C-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 155°C(TJ)-55°C ~ 175°C-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 185°C(TJ)-55°C ~ 225°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 175°C(TJ)-40°C ~ 125°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601MIL-PRF-19500/603
安装类型
-底座安装表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
3-CPH3-MCPH4-DIP,Hexdip4-DIP,Hexdip,HVMDIP4-HVMDIP5-DFN(5x6)(8-SOFL)5-DFNW(4.9x5.9)(8-SOFL-WF)6-DFN(2x2)6-MicroFET(2x2)6-PQFN(2x2)(DFN2020)6-TSOP6-TSOP-F
封装/外壳
3-PowerSMD,引线3-SMD,SOT-23-3 变式3-SMD,扁平引线3-SMD,无引线3-WDSON4-DIP(0.300",7.62mm)4-SMD,无引线5-PowerSFN5-SMD,无引线6-PowerUDFN6-PowerVDFN6-PowerWDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3,640结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 3,640
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
172,468
现货
11,448,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35562
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
BSS123,215
MOSFET N-CH 100V 150MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
295,768
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.38887
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
150mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 120mA,10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
40 pF @ 25 V
-
250mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS123WQ-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
241,914
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS123
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
28,452
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.51984
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
200mA
4.5V,10V
5 欧姆 @ 200mA,10V
2.5V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
14 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23-3
BSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
288,079
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.49111
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 100mA,10V
2.6V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Infineon Technologies
179,391
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.54713
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
190mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 190mA,10V
1.8V @ 13µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
20.9 pF @ 25 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-323
BSS123W-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT323
Diodes Incorporated
464,428
现货
1,281,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.40266
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
4.5V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
200mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
AO3442
MOSFET N-CH 100V 1A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
240,783
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.84350
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1A(Ta)
4.5V,10V
630 毫欧 @ 1A,10V
2.9V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
100 pF @ 50 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT 23-3
BVSS123LT1G
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
onsemi
10,860
现货
1 : ¥3.12000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.68128
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
10V
6 欧姆 @ 100mA,10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
20 pF @ 25 V
-
225mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
DMP10H4D2S-7
MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23
Diodes Incorporated
69,671
现货
2,217,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.71143
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
270mA(Ta)
4V,10V
4.2 欧姆 @ 500mA,10V
3V @ 250µA
1.8 nC @ 10 V
±20V
87 pF @ 25 V
-
380mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
79,570
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.11664
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
170mA(Ta)
0V,10V
6 欧姆 @ 170mA,10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-236AB
PMV213SN,215
MOSFET N-CH 100V 1.9A TO236AB
Nexperia USA Inc.
260,475
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.33850
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.9A(Tc)
10V
250 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
7 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 20 V
-
280mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
6-DFN
AON2290
MOSFET N CH 100V 4.5A DFN 2X2B
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
236,373
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.36488
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.5A(Ta)
4.5V,10V
72 毫欧 @ 4.5A,10V
2.8V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
415 pF @ 50 V
-
2.8W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
6-DFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
SOT-23-3
DMN10H220L-7
MOSFET N-CH 100V 1.4A SOT23
Diodes Incorporated
108,412
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.12975
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.4A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 250µA
8.3 nC @ 10 V
±16V
401 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT 23
SI01P10-TP
MOSFET P-CH 100V 1A SOT23
Micro Commercial Co
43,256
现货
1 : ¥3.37000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.90097
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1A(Tj)
-
800 毫欧 @ 1A,10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
388 pF @ 40 V
-
770mW
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
137,710
现货
237,500
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.61631
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Tc)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT-23-3
IRLML0100TRPBF
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Infineon Technologies
36,383
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.16191
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
1.6A(Ta)
4.5V,10V
220 毫欧 @ 1.6A,10V
2.5V @ 25µA
2.5 nC @ 4.5 V
±16V
290 pF @ 25 V
-
1.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
23,666
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.15112
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
150°C
-
-
表面贴装型
6-UDFNB(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
460,289
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.75941
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
2A(Ta)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 2A,10V
2.7V @ 250µA
3.8 nC @ 10 V
±20V
250 pF @ 50 V
-
1.4W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD,SOT-23-3 变式
SOT-23-3
ZXMN10A07FTA
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
Diodes Incorporated
19,714
现货
228,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18079
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
700mA(Ta)
6V,10V
700 毫欧 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
2.9 nC @ 10 V
±20V
138 pF @ 50 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
88,090
现货
1 : ¥3.86000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.30541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
175°C
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
PowerDI3333-8
DMT10H072LFV-7
MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Diodes Incorporated
3,349
现货
300,000
工厂
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
2,000 : ¥1.33389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
4.7A(Ta),20A(Tc)
6V,10V
62 毫欧 @ 4.5A,10V
2.8V @ 250µA
4.5 nC @ 10 V
±20V
228 pF @ 50 V
-
2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI3333-8(UX 类)
8-PowerVDFN
SOT-23-3
ZXMP10A13FTA
MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23-3
Diodes Incorporated
81,610
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.57004
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
600mA(Ta)
6V,10V
1 欧姆 @ 600mA,10V
4V @ 250µA
3.5 nC @ 10 V
±20V
141 pF @ 50 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-VSONP
CSD19538Q3A
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Texas Instruments
14,997
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.78422
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
15A(Ta)
6V,10V
59 毫欧 @ 5A,10V
3.8V @ 250µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2.8W(Ta),23W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
SSM3K361R,LXHF
AECQ MOSFET NCH 100V 3.5A SOT23F
Toshiba Semiconductor and Storage
9,690
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.85733
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
3.5A(Ta)
4.5V,10V
69 毫欧 @ 2A,10V
2.5V @ 100µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
430 pF @ 15 V
-
1.2W(Ta)
175°C
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
显示
/ 3,640

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。