Name: TPN4R203NC,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN4R203NCL1QTR-ND
Price: 3.41913 CNY
Availability: OutOfStock

TPN4R203NC,L1Q
DigiKey 零件编号	TPN4R203NCL1QTR-ND - 卷带（TR） TPN4R203NCL1QCT-ND - 剪切带（CT） TPN4R203NCL1QDKR-ND - Digi-Reel® 得捷定制卷带
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
制造商产品编号	TPN4R203NC,L1Q
描述	MOSFET N CH 30V 23A 8TSON-ADV
原厂标准交货期	12 周
客户内部零件编号
详细描述	表面贴装型 N 通道 30 V 23A（Ta） 700mW（Ta），22W（Tc） 8-TSON Advance（3.1x3.1）
规格书	规格书
EDA/CAD 模型	TPN4R203NC,L1Q 型号

类型	描述	全选
类别	分立半导体产品晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET
制造商	Toshiba Semiconductor and Storage
系列	U-MOSVIII
包装	卷带（TR）剪切带（CT） Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态	在售
FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	23A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	4.2 毫欧 @ 11.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	2.3V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	24 nC @ 10 V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	1370 pF @ 15 V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	700mW（Ta），22W（Tc）
工作温度	150°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	8-TSON Advance（3.1x3.1）
封装/外壳	8-PowerVDFN
基本产品编号	TPN4R203

数量	单价 (含13%增值税)	总价 (含13%增值税)
5,000	¥3.41913	¥17,095.65
10,000	¥3.37616	¥33,761.60

TPN4R203NC,L1Q