23A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 26
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedFairchild SemiconductoronsemiRenesas Electronics CorporationToshiba Semiconductor and Storage
系列
-PowerTrench®U-MOSVIU-MOSVIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘散装管件
产品状态
不适用于新设计停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V25 V30 V36 V60 V100 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.1 毫欧 @ 30A,10V2.7 毫欧 @ 23A,4.5V3 毫欧 @ 23A,10V3.1 毫欧 @ 50A,10V3.5 毫欧 @ 23A,4.5V3.7 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 20A,10V4 毫欧 @ 23A,4.5V4.2 毫欧 @ 11.5A,10V4.5 毫欧 @ 20A,10V4.5 毫欧 @ 23A,10V5.5 毫欧 @ 23A,10V7.8 毫欧 @ 11.5A,10V17 毫欧 @ 11.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2V @ 500µA2.2V @ 250µA2.3V @ 200µA2.3V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.76 nC @ 4.5 V24 nC @ 10 V34 nC @ 10 V35 nC @ 10 V38 nC @ 4.5 V48 nC @ 5 V49 nC @ 10 V50 nC @ 10 V63 nC @ 10 V69 nC @ 5 V73 nC @ 4.5 V76 nC @ 10 V81 nC @ 10 V84 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±8V±12V±15V±16V+20V,-25V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
225 pF @ 20 V1370 pF @ 15 V1620 pF @ 25 V2010 pF @ 15 V2200 pF @ 30 V2250 pF @ 30 V2345 pF @ 18 V2550 pF @ 10 V3240 pF @ 10 V3470 pF @ 15 V3845 pF @ 15 V4556 pF @ 30 V4973 pF @ 15 V5075 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta),22W(Tc)700mW(Ta),30W(Tc)950mW(Ta)2.3W(Ta),54W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta),220W(Tc)3W(Ta)3W(Ta),90W(Tc)3.1W(Ta)3.6W(Ta)4.2W(Ta)37.5W(Tj)60W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)8-SO8-SO FLMP8-SOIC8-TSON Advance(3.1x3.1)8-TSON Advance(3.3x3.3)D2PAKLFPAKPower33PowerDI5060-8TO-3P-3LTO-3PB
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerTDFN,5 引线8-PowerVDFN8-PowerWDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘8-VDFN 裸露焊盘SC-100,SOT-669TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-3P-3,SC-65-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
26结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 26
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
Power33
FDMC86012
MOSFET N-CH 30V 23A POWER33
onsemi
4,126
现货
54,000
工厂
1 : ¥30.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥14.99281
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
2.5V,4.5V
2.7 毫欧 @ 23A,4.5V
1.5V @ 250µA
38 nC @ 4.5 V
±12V
5075 pF @ 15 V
-
2.3W(Ta),54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
Power33
8-PowerWDFN
83,731
现货
1 : ¥5.99000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.29220
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
3.7 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
49 nC @ 10 V
±20V
2010 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
6,719
现货
1 : ¥22.90000
剪切带(CT)
2,500 : ¥10.32205
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
23A(Ta)
10V
17 毫欧 @ 11.5A,10V
-
35 nC @ 10 V
±20V
2550 pF @ 10 V
-
60W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
LFPAK
SC-100,SOT-669
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
TPCC8105,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
Toshiba Semiconductor and Storage
3,373
现货
1 : ¥9.69000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.31679
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 11.5A,10V
2V @ 500µA
76 nC @ 10 V
+20V,-25V
3240 pF @ 10 V
-
700mW(Ta),30W(Tc)
150°C
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.3x3.3)
8-VDFN 裸露焊盘
DMT6004SPS-13
DMT6004SPS-13
MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8
Diodes Incorporated
2,152
现货
45,000
工厂
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.38748
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
23A(Ta)
10V
3.1 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 250µA
95.4 nC @ 10 V
±20V
4556 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
D2PAK
NTB23N03RT4
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
onsemi
174,372
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
23A(Ta)
-
45 毫欧 @ 6A,10V
-
-
±20V
-
-
37.5W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK
NTB23N03RG
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
onsemi
0
现货
12,350
市场
2,076 : ¥1.01963
管件
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
23A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
3.76 nC @ 4.5 V
±20V
225 pF @ 20 V
-
37.5W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
NTB23N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
onsemi
0
现货
11,894
市场
2,076 : ¥1.01963
散装
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
23A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
3.76 nC @ 4.5 V
±20V
225 pF @ 20 V
-
37.5W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D2PAK
NTB23N03R
MOSFET N-CH 25V 23A D2PAK
onsemi
0
现货
8,250
市场
2,076 : ¥1.01963
管件
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
23A(Ta)
4.5V,10V
45 毫欧 @ 6A,10V
2V @ 250µA
3.76 nC @ 4.5 V
±20V
225 pF @ 20 V
-
37.5W(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS6064N3
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Fairchild Semiconductor
30,050
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
23A(Ta)
1.8V,4.5V
4 毫欧 @ 23A,4.5V
1.5V @ 250µA
98 nC @ 4.5 V
±8V
7191 pF @ 10 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS6162N7
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
Fairchild Semiconductor
15,029
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
23A(Ta)
2.5V,4.5V
3.5 毫欧 @ 23A,4.5V
1.5V @ 250µA
73 nC @ 4.5 V
±12V
5521 pF @ 10 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
INFINFICE2QR4765XKLA1
FDS7088N7
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
Fairchild Semiconductor
1,454
市场
不可用
对您所选的货币不可用
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±20V
3845 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
MOSFET N-CH 600V 23A TO3P-3L
WPB4002-1E
MOSFET N-CH 600V 23A TO3P-3L
onsemi
0
现货
3,600
市场
97 : ¥22.65041
管件
-
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23A(Ta)
10V
360 毫欧 @ 11.5A,10V
-
84 nC @ 10 V
±30V
2200 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),220W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3P-3L
TO-3P-3,SC-65-3
2SK4221
WPB4002
MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
onsemi
0
现货
1,949
市场
36 : ¥60.88667
散装
36 : ¥60.88667
托盘
-
散装
托盘
托盘
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23A(Ta)
10V
360 毫欧 @ 11.5A,10V
-
84 nC @ 10 V
±30V
2200 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),220W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PB
TO-3P-3,SC-65-3
TO-3P-3,TO-247-3
2SK4222
MOSFET N-CH 600V 23A TO3PB
onsemi
0
现货
10,092
市场
32 : ¥69.62656
托盘
-
托盘
托盘
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
23A(Ta)
10V
340 毫欧 @ 11.5A,10V
-
81 nC @ 10 V
±30V
2250 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),220W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-3PB
TO-3P-3,SC-65-3
TEXTISCSD86336Q3DT
NTMFS4931NT1G-IRH1
NTMFS4931 - MOSFET N CHANNEL SIN
onsemi
4,947
市场
不可用
对您所选的货币不可用
-
散装
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
1.1 毫欧 @ 30A,10V
2.2V @ 250µA
128 nC @ 10 V
±20V
9821 pF @ 15 V
-
950mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
0
现货
查看交期
5,000 : ¥3.41913
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
4.2 毫欧 @ 11.5A,10V
2.3V @ 200µA
24 nC @ 10 V
±20V
1370 pF @ 15 V
-
700mW(Ta),22W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-TSON Advance(3.1x3.1)
8-PowerVDFN
8-SOIC
FDS6064N3
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
onsemi
0
现货
2,500 : ¥6.72697
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
23A(Ta)
1.8V,4.5V
4 毫欧 @ 23A,4.5V
1.5V @ 250µA
98 nC @ 4.5 V
±8V
7191 pF @ 10 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
D2PAK
MTB23P06VT4
MOSFET P-CH 60V 23A D2PAK
onsemi
0
现货
停产
-
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
23A(Ta)
10V
120 毫欧 @ 11.5A,10V
4V @ 250µA
50 nC @ 10 V
±15V
1620 pF @ 25 V
-
3W(Ta),90W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
D2PAK
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
8-SOIC
FDS6162N7
MOSFET N-CH 20V 23A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
23A(Ta)
2.5V,4.5V
3.5 毫欧 @ 23A,4.5V
1.5V @ 250µA
73 nC @ 4.5 V
±12V
5521 pF @ 10 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
8-SOIC
FDS7066N7
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
69 nC @ 5 V
±16V
4973 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
8-SOIC
FDS7088N7
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
3 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
48 nC @ 5 V
±20V
3845 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
8-SOIC
FDS7066N3
MOSFET N-CH 30V 23A 8SO
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
5.5 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
69 nC @ 5 V
±16V
4973 pF @ 15 V
-
3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO FLMP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)裸露焊盘
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
23A(Ta)
4.5V,10V
4 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
63 nC @ 10 V
±20V
3470 pF @ 15 V
-
3.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
0
现货
停产
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
36 V
23A(Ta)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
2345 pF @ 18 V
-
4.2W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
显示
/ 26

23A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。