单 FET,MOSFET

结果 : 19
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedEPCGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesRohm SemiconductorToshiba Semiconductor and Storage
系列
-eGaN®OptiMOS™U-MOSIIIU-MOSVIU-MOSVIIU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
技术
GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V30 V40 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA(Ta)130mA(Ta)200mA(Ta)250mA(Ta)330mA(Ta)400mA(Ta)500mA(Ta)620mA(Ta)800mA(Ta)820mA(Ta)850mA(Ta)1.7A(Ta)27A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.5V,5V1.8V,4.5V4.5V,10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 50A,10V235 毫欧 @ 800mA,4.5V390毫欧 @ 800mA,4.5V550 毫欧 @ 100mA,5V630 毫欧 @ 200mA,5V640 毫欧 @ 550mA,4.5V750 毫欧 @ 430mA,4.5V1 欧姆 @ 400mA,4.5V1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V1.4 欧姆 @ 150mA,4.5V1.5 欧姆 @ 100mA,10V1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 100µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.5V @ 80µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.12 nC @ 5 V0.3 nC @ 4.5 V0.34 nC @ 4.5 V0.35 nC @ 4.5 V0.6 nC @ 4.5 V0.622 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V1.2 nC @ 4 V1.23 nC @ 4 V1.4 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 4.5 V1.6 nC @ 8 V41 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
+6V,-4V+6V,-8V±6V±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
7.1 pF @ 10 V14 pF @ 50 V15 pF @ 10 V17 pF @ 15 V17 pF @ 16 V30 pF @ 30 V36 pF @ 10 V40 pF @ 10 V42 pF @ 10 V43 pF @ 10 V46 pF @ 10 V54 pF @ 15 V55 pF @ 10 V58 pF @ 10 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)225mW(Ta)290mW(Ta)310mW(Ta)460mW(Ta)500mW(Ta)690mW(Ta)2.5W(Ta),78W(Tc)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)
供应商器件封装
CST3PG-TDSON-8-1SOT-23SOT-23-3SOT-323SOT-883SSMVESMVMT3X2-DFN0606-3模具
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerTDFNSC-101,SOT-883SC-70,SOT-323SC-75,SOT-416SOT-723TO-236-3,SC-59,SOT-23-3模具
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
19结果

显示
/ 19
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
30,487
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.28023
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
400mA(Ta)
4.5V,10V
1.5 欧姆 @ 100mA,10V
2.1V @ 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
CST3
SC-101,SOT-883
SOT-323
DMG1013UW-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
247,175
现货
2,187,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.46763
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
820mA(Ta)
1.8V,4.5V
750 毫欧 @ 430mA,4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
19,890
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.55104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
VESM
SOT-723
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
EPC
28,654
现货
1 : ¥11.25000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.57657
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET(氮化镓)
100 V
1.7A(Ta)
5V
550 毫欧 @ 100mA,5V
2.5V @ 80µA
0.12 nC @ 5 V
+6V,-4V
14 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
模具
模具
186,091
现货
1 : ¥1.15000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.20069
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
VESM
SOT-723
461,815
现货
1 : ¥1.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.27694
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
330mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 1mA
1.2 nC @ 4 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
SOT-23-3
DMP31D1U-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Diodes Incorporated
3,813
现货
156,000
工厂
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26392
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
620mA(Ta)
1.8V,4.5V
1 欧姆 @ 400mA,4.5V
1.1V @ 250µA
1.6 nC @ 8 V
±8V
54 pF @ 15 V
-
460mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
15,191
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.35362
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
250mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.4 欧姆 @ 150mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
42 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
VMT3 Pkg
RZM002P02T2L
MOSFET P-CH 20V 200MA VMT3
Rohm Semiconductor
114,990
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34508
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
200mA(Ta)
1.2V,4.5V
1.2 欧姆 @ 200mA,4.5V
1V @ 100µA
1.4 nC @ 4.5 V
±10V
115 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RZM001P02T2L
MOSFET P-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
235,280
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.32297
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.8 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±10V
15 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
VMT3
SOT-723
VMT3 Pkg
RUM001L02T2CL
MOSFET N-CH 20V 100MA VMT3
Rohm Semiconductor
725,106
现货
此产品有最大采购数量限制
1 : ¥2.22000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.34654
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
100mA(Ta)
1.2V,4.5V
3.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 100µA
-
±8V
7.1 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
VMT3
SOT-723
439,962
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.49432
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
1.5V,5V
630 毫欧 @ 200mA,5V
1V @ 1mA
1.23 nC @ 4 V
±10V
46 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
VESM
SOT-723
343,916
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.55104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
-
-
±8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
VESM
SOT-723
PG-TDSON-8-1
BSC019N04LSATMA1
MOSFET N-CH 40V 27A/100A TDSON
Infineon Technologies
24,080
现货
1 : ¥13.05000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.66769
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
27A(Ta),100A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 50A,10V
2V @ 250µA
41 nC @ 10 V
±20V
2900 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),78W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
14,407
现货
1 : ¥1.97000
剪切带(CT)
8,000 : ¥0.35918
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.2V,4.5V
390毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1.6 nC @ 4.5 V
+6V,-8V
100 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C
表面贴装型
VESM
SOT-723
X2-DFN0606-3
DMP22D5UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X2-DFN0606-
Diodes Incorporated
9,963
现货
240,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.17856
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
330mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.9 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.3 nC @ 4.5 V
±8V
17 pF @ 16 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
X2-DFN0606-3
DMP32D8UFZ-7B
MOSFET BVDSS: 25V~30V X2-DFN0606
Diodes Incorporated
3,052
现货
20,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.23799
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
200mA(Ta)
1.2V,4.5V
5 欧姆 @ 100mA,4.5V
1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±10V
17 pF @ 15 V
-
290mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
X2-DFN0606-3
3-XFDFN
BSS84
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
113,338
现货
1 : ¥1.56000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.26581
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
130mA(Ta)
4.5V,10V
8 欧姆 @ 150mA,10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 30 V
-
225mW(Ta)
150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
GSFW0202
GSFW02009
MOSFET, P-CH, SINGLE, -0.85A, -2
Good-Ark Semiconductor
18,208
现货
1 : ¥1.72000
剪切带(CT)
10,000 : ¥0.21990
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
850mA(Ta)
1.8V,4.5V
640 毫欧 @ 550mA,4.5V
1V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±12V
58 pF @ 10 V
-
690mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-883
SC-101,SOT-883
显示
/ 19

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。