单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVI
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）10A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15.3 毫欧 @ 4A，4.5V450 毫欧 @ 300mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.9 nC @ 4.5 V29.9 nC @ 4.5 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
127 pF @ 10 V2600 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
360mW（Ta），3.125W（Tc）1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
6-UDFNB（2x2）SOT-883
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘SC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
46,075
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01990
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
10A（Ta）
1.5V，4.5V
15.3 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 1mA
29.9 nC @ 4.5 V
±8V
2600 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
6-UDFNB（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
SC-101 SOT-883
PMZ350UPEYL
MOSFET P-CH 20V 1A DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
23,520
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.45069
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1A（Ta）
1.8V，4.5V
450 毫欧 @ 300mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.9 nC @ 4.5 V
±8V
127 pF @ 10 V
-
360mW（Ta），3.125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。