单 FET,MOSFET

结果 : 21
制造商
Good-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-CoolMOS™ C7OptiMOS™OptiMOS™ 3OptiMOS™ 5SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V120 V150 V200 V240 V600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA(Ta)360mA(Ta)400mA(Ta)7A(Tc)11.3A(Tc)12A(Tc)15.2A(Tc)19A(Tc)24A(Tc)34A(Tc)35A(Tc)36A(Tc)37.1A(Tc)40A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,10V4.5V,10V6V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.6 毫欧 @ 100A,10V9.4 毫欧 @ 24A,10V10.7 毫欧 @ 88A,10V11 毫欧 @ 88A,10V14.6 毫欧 @ 20A,10V15 毫欧 @ 50A,10V20 毫欧 @ 50A,10V32 毫欧 @ 34A,10V32 毫欧 @ 36A,10V35 毫欧 @ 35A,10V40 毫欧 @ 24.9A,10V43 毫欧 @ 9.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 170µA2V @ 250µA2.3V @ 14µA2.3V @ 23µA2.4V @ 60µA2.5V @ 250µA2.8V @ 1mA3V @ 250µA3.5V @ 250µA4V @ 1.24mA4V @ 13µA4V @ 250µA4V @ 25µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3.2 nC @ 4.5 V5.6 nC @ 10 V7 nC @ 10 V8 nC @ 10 V8.7 nC @ 10 V9.4 nC @ 4.5 V11.6 nC @ 10 V29 nC @ 10 V30 nC @ 10 V31 nC @ 10 V51 nC @ 10 V60 nC @ 10 V64 nC @ 10 V76 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
120 pF @ 25 V165 pF @ 25 V430 pF @ 100 V650 pF @ 100 V680 pF @ 100 V920 pF @ 100 V1300 pF @ 30 V1300 pF @ 50 V1800 pF @ 25 V1820 pF @ 75 V2350 pF @ 100 V2410 pF @ 100 V4180 pF @ 25 V4200 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
360mW(Ta)500mW(Tc)580mW(Ta),12.5W(Tc)3W(Ta),136W(Tc)8.3W(Ta),136W(Tc)34W(Tc)36W(Tc)50W(Tc)52W(Tc)62.5W(Tc)83W(Tc)100W(Tc)125W(Tc)136W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
PG-SC59-3PG-TDSON-8-1PG-TDSON-8-5PG-TDSON-8-6PG-TO252-3PG-TO252-3-11PG-TO263-3PG-TO263-7PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FLPowerPAK® SO-8SOT-23-3(TO-236)SOT-89TO-252(DPAK)
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-243AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AATO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
21结果

显示
/ 21
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-Power TDFN
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
Infineon Technologies
409
现货
1 : ¥8.70000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.41925
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
7A(Tc)
10V
225 毫欧 @ 3.5A,10V
4V @ 13µA
5.6 nC @ 10 V
±20V
430 pF @ 100 V
-
34W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSC094N06LS5ATMA1
MOSFET N-CHANNEL 60V 47A 8TDSON
Infineon Technologies
2,961
现货
1 : ¥9.85000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.87199
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
47A(Tc)
4.5V,10V
9.4 毫欧 @ 24A,10V
2.3V @ 14µA
9.4 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 30 V
-
36W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-6
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ146N10LS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 40A TSDSON
Infineon Technologies
22,702
现货
1 : ¥12.15000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.77208
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
40A(Tc)
4.5V,10V
14.6 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 23µA
3.2 nC @ 4.5 V
±20V
1300 pF @ 50 V
-
52W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Infineon Technologies
44,199
现货
1 : ¥13.38000
剪切带(CT)
5,000 : ¥5.81522
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
15.2A(Tc)
10V
90 毫欧 @ 7.6A,10V
4V @ 30µA
11.6 nC @ 10 V
±20V
920 pF @ 100 V
-
62.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD200N15N3GATMA1
MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3
Infineon Technologies
46,193
现货
1 : ¥14.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥8.52795
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
50A(Tc)
8V,10V
20 毫欧 @ 50A,10V
4V @ 90µA
31 nC @ 10 V
±20V
1820 pF @ 75 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
11,401
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.03602
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
12A(Tc)
6V,10V
213 毫欧 @ 1A,4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-252
SUD50P10-43L-E3
MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252
Vishay Siliconix
5,027
现货
1 : ¥20.94000
剪切带(CT)
2,000 : ¥9.45228
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
37.1A(Tc)
4.5V,10V
43 毫欧 @ 9.2A,10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4600 pF @ 50 V
-
8.3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PG-TDSON-8-1
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
Infineon Technologies
10,594
现货
1 : ¥24.14000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.26590
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35A(Tc)
10V
35 毫欧 @ 35A,10V
4V @ 90µA
30 nC @ 10 V
±20V
2410 pF @ 100 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC320N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 36A TDSON-8
Infineon Technologies
20,134
现货
1 : ¥24.79000
剪切带(CT)
5,000 : ¥11.56146
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
36A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 36A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
125W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-1
8-PowerTDFN
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
Infineon Technologies
6,740
现货
1 : ¥28.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥14.74399
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
34A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB107N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
Infineon Technologies
4,940
现货
1 : ¥59.69000
剪切带(CT)
1,000 : ¥33.83523
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
10.7 毫欧 @ 88A,10V
4V @ 270µA
87 nC @ 10 V
±20V
7100 pF @ 100 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB110N20N3LFATMA1
MOSFET N-CH 200V 88A TO263-3
Infineon Technologies
2,995
现货
1 : ¥67.57000
剪切带(CT)
1,000 : ¥38.31729
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
88A(Tc)
10V
11 毫欧 @ 88A,10V
4.2V @ 260µA
76 nC @ 10 V
±20V
650 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
D²Pak
IPB60R040C7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 50A TO263-3
Infineon Technologies
1,204
现货
1 : ¥85.30000
剪切带(CT)
1,000 : ¥48.37291
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
50A(Tc)
10V
40 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.24mA
107 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-4,D2PAK(3 引线 + 凸片),TO-263AA
SOT-89
BSS87,115
MOSFET N-CH 200V 400MA SOT89
Nexperia USA Inc.
209,234
现货
1 : ¥3.04000
剪切带(CT)
1,000 : ¥0.91638
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
400mA(Ta)
10V
3 欧姆 @ 400mA,10V
2.8V @ 1mA
-
±20V
120 pF @ 25 V
-
580mW(Ta),12.5W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-89
TO-243AA
SOT-23-3
BSR316PH6327XTSA1
MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Infineon Technologies
3,476
现货
1 : ¥4.19000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.41507
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
360mA(Ta)
4.5V,10V
1.8 欧姆 @ 360mA,10V
1V @ 170µA
7 nC @ 10 V
±20V
165 pF @ 25 V
-
500mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-SC59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
TN2404K-T1-E3
MOSFET N-CH 240V 200MA SOT23-3
Vishay Siliconix
8,385
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.71766
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
240 V
200mA(Ta)
2.5V,10V
4 欧姆 @ 300mA,10V
2V @ 250µA
8 nC @ 10 V
±20V
-
-
360mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Infineon Technologies
10,212
现货
1 : ¥11.41000
剪切带(CT)
5,000 : ¥4.48534
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11.3A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 5.7A,10V
4V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 100 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
TO252-3
IPD50N10S3L16ATMA1
MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
Infineon Technologies
1,681
现货
1 : ¥16.26000
剪切带(CT)
2,500 : ¥7.31504
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
50A(Tc)
4.5V,10V
15 毫欧 @ 50A,10V
2.4V @ 60µA
64 nC @ 10 V
±20V
4180 pF @ 25 V
-
100W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SUD19N20-90-E3
MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Vishay Siliconix
533
现货
1 : ¥24.22000
剪切带(CT)
2,000 : ¥10.91793
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
19A(Tc)
6V,10V
90 毫欧 @ 5A,10V
4V @ 250µA
51 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 25 V
-
3W(Ta),136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263-7, D2Pak
IPB036N12N3GATMA1
MOSFET N-CH 120V 180A TO263-7
Infineon Technologies
2,948
现货
1 : ¥47.21000
剪切带(CT)
1,000 : ¥24.38632
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
120 V
180A(Tc)
10V
3.6 毫欧 @ 100A,10V
4V @ 270µA
211 nC @ 10 V
±20V
13800 pF @ 60 V
-
300W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7
TO-263-7,D2PAK(6 引线 + 凸片)
SSFD20N24
SSFD20N24
MOSFET, N-CH, SINGLE, 24.00A, 20
Good-Ark Semiconductor
4,427
现货
1 : ¥18.23000
剪切带(CT)
2,500 : ¥5.49712
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
24A(Tc)
10V
80 毫欧 @ 15A,10V
2.5V @ 250µA
60 nC @ 10 V
±20V
4200 pF @ 25 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 21

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。