单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Good-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.STMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-MDmesh™ K5OptiMOS™TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V40 V60 V80 V950 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Ta）6A（Tc）9A（Tc）40A（Tc）140A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.6 毫欧 @ 50A，10V11 毫欧 @ 20A，10V39.5 毫欧 @ 5A，10V254 毫欧 @ 900mA，4.5V1.25 欧姆 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA2.5V @ 250µA3.8V @ 22µA5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.65 nC @ 4.5 V13 nC @ 10 V18.5 nC @ 10 V34 nC @ 10 V420 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
81 pF @ 15 V450 pF @ 100 V1300 pF @ 40 V1700 pF @ 25 V24000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
342mW（Ta）13.6W（Tc）50W（Tc）110W（Tc）183W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装，可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
H2PAK-2PG-TSDSON-8-FLPowerPAK®SC-70W-6SOT-323TO-263（D2PAK）
封装/外壳
6-PowerVDFN8-PowerTDFNSC-70，SOT-323TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ110N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 40A TSDSON
Infineon Technologies
25,218
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.56248
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
40A（Tc）
6V，10V
11 毫欧 @ 20A，10V
3.8V @ 22µA
18.5 nC @ 10 V
±20V
1300 pF @ 40 V
-
50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
SOT-323
PMF250XNEX
MOSFET N-CH 30V 1A SOT323
Nexperia USA Inc.
99,208
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.47670
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1A（Ta）
2.5V，4.5V
254 毫欧 @ 900mA，4.5V
1.25V @ 250µA
1.65 nC @ 4.5 V
±12V
81 pF @ 15 V
-
342mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerPAK SC-701W-6L Single
SQA405CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE P-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
8,428
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.26826
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
9A（Tc）
4.5V，10V
39.5 毫欧 @ 5A，10V
2.5V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 25 V
-
13.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装，可润湿侧翼
PowerPAK®SC-70W-6
6-PowerVDFN
H2PAK
STH6N95K5-2
MOSFET N-CH 950V 6A H2PAK-2
STMicroelectronics
3,974
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
1,000 : ¥10.92103
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
950 V
6A（Tc）
10V
1.25 欧姆 @ 3A，10V
5V @ 100µA
13 nC @ 10 V
±30V
450 pF @ 100 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
GSFT06130
GSFT06130
MOSFET, P-CH, SINGLE, -140A, -60
Good-Ark Semiconductor
2,972
现货
1 : ¥30.87000
剪切带（CT）
800 : ¥11.43678
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
140A（Tc）
4.5V，10V
4.6 毫欧 @ 50A，10V
2.5V @ 250µA
420 nC @ 10 V
±20V
24000 pF @ 25 V
-
183W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。