单 FET,MOSFET

结果 : 15
制造商
Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Nexperia USA Inc.onsemiRohm SemiconductorSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageWolfspeed, Inc.
系列
-C3M™CoolMOS™ C7HiPerFET™, Ultra X2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
60 V650 V750 V1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.2A(Ta)17A(Tc)21A(Tc)31A(Tj)70A(Tc)75A(Tc)98A(Tj)99A(Tc)100A(Tc)102A(Tc)105A(Tj)118A(Tc)120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V15V15V,18V18V20V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
16.9 毫欧 @ 58A,18V19 毫欧 @ 58.3A,10V21 毫欧 @ 50A,18V21 毫欧 @ 55.8A,15V22.1 毫欧 @ 47A,18V26 毫欧 @ 50A,18V28毫欧 @ 60A,20V28.5 毫欧 @ 45A,18V30 毫欧 @ 50A,10V39 毫欧 @ 27A,18V59 毫欧 @ 17A,18V117 毫欧 @ 2.2A,10V156 毫欧 @ 6.7A,18V208 毫欧 @ 5A,18V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.7V @ 250µA3.6V @ 15.5mA4V @ 2.92mA4.3V @ 15.5mA4.3V @ 20mA4.8V @ 30.8mA4.8V @ 8.89mA5V @ 11.7mA5V @ 5mA5.5V @ 4mA5.6V @ 13.3mA5.6V @ 2.5mA5.6V @ 23.5mA5.6V @ 3.33mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
6 nC @ 10 V38 nC @ 18 V42 nC @ 18 V63 nC @ 18 V104 nC @ 18 V128 nC @ 18 V162 nC @ 18 V164 nC @ 18 V170 nC @ 18 V172 nC @ 18 V180 nC @ 10 V188 nC @ 15 V215 nC @ 10 V220 nC @ 20 V
Vgs(最大值)
+15V,-4V±20V+21V,-4V+22V,-10V+22V,-4V+22V,-8V+25V,-10V+25V,-15V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
196 pF @ 30 V398 pF @ 800 V460 pF @ 500 V1460 pF @ 500 V1526 pF @ 500 V2884 pF @ 500 V2943 pF @ 800 V3315 pF @ 520 V3480 pF @ 325 V4580 pF @ 500 V4850 pF @ 400 V5011 pF @ 400 V9900 pF @ 400 V11300 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
615mW(Ta),7.5W(Tc)93W103W(Tc)262W267W312W342W(Tc)348W(Tc)416W(Tc)420W(Tc)427W446W(Tc)510W(Tc)1040W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-40°C ~ 175°C(TJ)175°C175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
HiP247™PG-TO247-3PLUS247™-3TO-236ABTO-247TO-247-3TO-247-4LTO-247NTO-263-7L
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3TO-247-3TO-247-3 变式TO-247-4TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果

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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-247N
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Rohm Semiconductor
5,735
现货
1 : ¥72.25000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
21A(Tc)
18V
156 毫欧 @ 6.7A,18V
5.6V @ 3.33mA
38 nC @ 18 V
+22V,-4V
460 pF @ 500 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3160KLGC11
SICFET N-CH 1200V 17A TO247N
Rohm Semiconductor
2,883
现货
1 : ¥82.84000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
17A(Tc)
18V
208 毫欧 @ 5A,18V
5.6V @ 2.5mA
42 nC @ 18 V
+22V,-4V
398 pF @ 800 V
-
103W(Tc)
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
615
现货
1 : ¥169.53000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
SCT4026DW7HRTL
SCT4013DW7TL
750V, 98A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
363
现货
1 : ¥298.26000
剪切带(CT)
1,000 : ¥194.69469
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
98A(Tj)
18V
16.9 毫欧 @ 58A,18V
4.8V @ 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V,-4V
4580 pF @ 500 V
-
267W
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
C3M0065100K
C3M0015065K
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
Wolfspeed, Inc.
848
现货
1 : ¥417.96000
管件
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
120A(Tc)
15V
21 毫欧 @ 55.8A,15V
3.6V @ 15.5mA
188 nC @ 15 V
+15V,-4V
5011 pF @ 400 V
-
416W(Tc)
-40°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-247-4
NVH4L020N120SC1
SICFET N-CH 1200V 102A TO247
onsemi
1,363
现货
1 : ¥420.18000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
102A(Tc)
20V
28毫欧 @ 60A,20V
4.3V @ 20mA
220 nC @ 20 V
+25V,-15V
2943 pF @ 800 V
-
510W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-4L
TO-247-4
TO-236AB
PMV88ENER
PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
5,215
现货
1 : ¥2.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.76179
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
2.2A(Ta)
4.5V,10V
117 毫欧 @ 2.2A,10V
2.7V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 30 V
-
615mW(Ta),7.5W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-247N
SCT4013DEC11
750V, 105A, 3-PIN THD, TRENCH-ST
Rohm Semiconductor
366
现货
1 : ¥298.26000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
105A(Tj)
18V
16.9 毫欧 @ 58A,18V
4.8V @ 30.8mA
170 nC @ 18 V
+21V,-4V
4580 pF @ 500 V
-
312W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247 Plus X
IXFX100N65X2
MOSFET N-CH 650V 100A PLUS247-3
Littelfuse Inc.
702
现货
990
工厂
1 : ¥152.95000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
100A(Tc)
10V
30 毫欧 @ 50A,10V
5.5V @ 4mA
180 nC @ 10 V
±30V
11300 pF @ 25 V
-
1040W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PLUS247™-3
TO-247-3 变式
TO-247-3
NTHL025N065SC1
SIC MOS TO247-3L 650V
onsemi
167
现货
1 : ¥162.72000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
99A(Tc)
15V,18V
28.5 毫欧 @ 45A,18V
4.3V @ 15.5mA
164 nC @ 18 V
+22V,-8V
3480 pF @ 325 V
-
348W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TW015N65C,S1F
TW015N65C,S1F
G3 650V SIC-MOSFET TO-247 15MOH
Toshiba Semiconductor and Storage
52
现货
1 : ¥411.89000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
100A(Tc)
18V
21 毫欧 @ 50A,18V
5V @ 11.7mA
128 nC @ 18 V
+25V,-10V
4850 pF @ 400 V
-
342W(Tc)
175°C
-
-
通孔
TO-247
TO-247-3
TO-247-3 HiP
SCTW100N65G2AG
SICFET N-CH 650V 100A HIP247
STMicroelectronics
595
现货
1 : ¥202.54000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
100A(Tc)
18V
26 毫欧 @ 50A,18V
5V @ 5mA
162 nC @ 18 V
+22V,-10V
3315 pF @ 520 V
-
420W(Tc)
-55°C ~ 200°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
HiP247™
TO-247-3
TO-247N
SCT3030ALHRC11
SICFET N-CH 650V 70A TO247N
Rohm Semiconductor
445
现货
1 : ¥296.05000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
70A(Tc)
18V
39 毫欧 @ 27A,18V
5.6V @ 13.3mA
104 nC @ 18 V
+22V,-4V
1526 pF @ 500 V
-
262W
175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247N
TO-247-3
TO-247N
SCT3017ALGC11
650V, 118A, THD, TRENCH-STRUCTUR
Rohm Semiconductor
441
现货
1 : ¥736.75000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
650 V
118A(Tc)
18V
22.1 毫欧 @ 47A,18V
5.6V @ 23.5mA
172 nC @ 18 V
+22V,-4V
2884 pF @ 500 V
-
427W
175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247N
TO-247-3
SCT4026DW7HRTL
SCT4045DW7TL
750V, 31A, 7-PIN SMD, TRENCH-STR
Rohm Semiconductor
629
现货
1 : ¥96.79000
剪切带(CT)
1,000 : ¥61.28389
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
750 V
31A(Tj)
18V
59 毫欧 @ 17A,18V
4.8V @ 8.89mA
63 nC @ 18 V
+21V,-4V
1460 pF @ 500 V
-
93W
175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-263-7L
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
显示
/ 15

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。