单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDDiodes IncorporatedMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.Texas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V50 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）220mA（Ta）1.1A（Tj）15A（Ta），80A（Tc）42A（Tc）50A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V6V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 20A，10V11.5 毫欧 @ 10A，10V14.5 毫欧 @ 10A，10V600 毫欧 @ 1.5A，10V3 欧姆 @ 500mA，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.6V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.5V @ 1mA3.5V @ 10mA3.6V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
18.77 nC @ 10 V21 nC @ 10 V41.3 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
27 pF @ 25 V60 pF @ 25 V300 pF @ 25 V957 pF @ 30 V1680 pF @ 50 V2090 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）350mW（Ta）1.6W（Ta）2.2W（Ta），62.5W（Tc）2.8W（Ta），83W（Tc）34.7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）MLPAK33POWERDI3333-8SOT-23SOT-23-3TO-243AA（SOT-89）
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-243AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
153,892
现货
10,602,000
工厂
1 : ¥2.13000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.35562
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
2V @ 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerDI3333-8
DMT6007LFG-7
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
Diodes Incorporated
12,596
现货
1 : ¥9.03000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.73945
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
15A（Ta），80A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
41.3 nC @ 10 V
±20V
2090 pF @ 30 V
-
2.2W（Ta），62.5W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
CSD19537Q3
CSD19537Q3
MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Texas Instruments
4,305
现货
1 : ¥9.85000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.07443
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
50A（Ta）
6V，10V
14.5 毫欧 @ 10A，10V
3.6V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1680 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），83W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
8-Power VDFN
PXN012-60QLJ
PXN012-60QL/SOT8002/MLPAK33
Nexperia USA Inc.
32,757
现货
1 : ¥4.43000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.56569
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
42A（Tc）
4.5V，10V
11.5 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 1mA
18.77 nC @ 10 V
±20V
957 pF @ 30 V
-
34.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
MLPAK33
8-PowerVDFN
C04-029 MB
VP3203N8-G
MOSFET P-CH 30V 1.1A TO243AA
Microchip Technology
1,634
现货
1 : ¥16.42000
剪切带（CT）
2,000 : ¥12.39685
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
1.1A（Tj）
4.5V，10V
600 毫欧 @ 1.5A，10V
3.5V @ 10mA
-
±20V
300 pF @ 25 V
-
1.6W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-243AA（SOT-89）
TO-243AA
BSS138
BSS138
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
202,907
现货
1 : ¥1.31000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.22873
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
4.5V，10V
3 欧姆 @ 500mA，10V
1.6V @ 250µA
-
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。