单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.onsemiToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V25 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
360mA（Ta）680mA（Ta）4A（Ta）6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，8V2.5V，10V2.7V，4.5V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
17.6 毫欧 @ 6A，8V52 毫欧 @ 4A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V1.6 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.8 nC @ 4.5 V2.3 nC @ 4.5 V11.7 nC @ 10 V19.5 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V464 pF @ 15 V1400 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1W（Ta）1.4W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-23FTO-236AB
封装/外壳
SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-236AB
2N7002P,235
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
1,183,705
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.18883
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
360mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
2.4V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
361,489
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75549
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，8V
17.6 毫欧 @ 6A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
148,107
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59365
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG3402L-7
MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
Diodes Incorporated
268,440
现货
5,043,000
工厂
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.64179
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
2.5V，10V
52 毫欧 @ 4A，10V
1.4V @ 250µA
11.7 nC @ 10 V
±12V
464 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。