W25N QspiNAND 闪存

Winbond 的 QspiNAND 闪存提供速度更快、经济高效的代码存储解决方案,密度从 512 Mbit 到 4 Gbit

Winbond W25N QspiNAND 闪存图片Winbond QspiNAND Flash产品具有标准 SPI 接口和 x1/x2/x4 总线宽度。这些产品的密度为 512 Mb、1 Gb、2 Gb 和 4 Gb,工作标称电压为 1.8 V 或 3.3 V。

为了简化在密度超过 512 Mb 的 NOR Flash 系统上存储代码的过程,华邦还提供具有相同 SPI 接口的 1 Gb 和 2 Gb 密度的 QspiNAND 产品。虽然 NOR 闪存在较低密度下可能更具成本效益,但 NAND 闪存在 512 Mb 及以上的密度下成为更具成本效益的选择。

特性
  • 1 Gb 和 2 Gb 密度
  • 3 V 电源,x8 总线宽度
  • 1.8 V 电源,x8/x16 总线宽度
  • 工业温度范围:-40°C 至 +85°C
  • 封装选择︰48 引脚 TSOP;48/63 焊球 VFBGA

W29N SLC NAND Flash Memory

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发布日期: 2017-01-25