SISF20DN-T1-GE3 共漏极双路 N 沟道 60 V MOSFET

Vishay Siliconix 的 SISF20DN-T1-GE3 是一个共漏极双路 n 沟道 60 V MOSFET，采用紧凑的耐热增强型 PowerPAK® 1212-8SCD 封装。Vishay Siliconix SiSF20DN 旨在提高电池管理系统、插入式和无线充电器、DC/DC 转换器和电源的功率密度和效率，以 60 V 共漏极器件提供业界最低的 R_S-S(ON)。

双路 MOSFET 在 10 V 时 R_S-S(ON) 典型值低至 10 mΩ，目前是 3 mm x 3 mm 基底面中最低的 60 V 器件。与该尺寸的同级解决方案相比，该值具有 42.5% 以上的优势，还比 Vishay 的上一代设备低 89%。结果是减少了电源路径上的压降，并最大程度地降低了功耗，从而提高了效率。由于具备更高的功率密度，SiSF20DN 的单位面积 R_S1S2(ON) 比竞品 MOSFET 低 46.6% 以上，包括更大型的 6 mm x 5 mm 解决方案。

为了节省 PCB 空间，减少元件数量并简化设计，该器件采用了优化的封装结构，并在共漏极配置中集成了两个单片集成 TrenchFET® Gen IV n 沟道 MOSFET。与传统的双封装类型相比，SiSF20DN 的源触点与扩大的连接并排放置，从而增加了与 PCB 的接触面积并降低了电阻率。这种设计使 MOSFET 非常适合 24 V 系统和工业应用中的双向开关，包括工厂自动化、电动工具、无人机、电机驱动器、白色家电、机器人、安全/监视和烟雾报警器。SiSF20DN 100% 经 R_g 和 UIS 测试，符合 RoHS 且无卤素。