SISD5300DN N 沟道 30 V MOSFET

Vishay 多功能 30 V N 沟道 TrenchFET® Gen V 功率 MOSFET 采用源极翻转技术，采用 3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F 封装。SiSD5300DN 与 PowerPAK 1212-8S 占用相同的空间，导通电阻降低了 18%，从而提高了功率密度，同时其源极翻转技术将热阻降低了 +63°C/W 至 +56°C/W。此外，MOSFET 的 FOM 比上一代器件提高了 35%，使得传导和开关损耗下降，从而在功率转换应用中获得节能效果。

PowerPAK1212-F 源极翻转技术颠倒了接地焊盘和源极焊盘的通常比例，扩大了接地焊盘的面积，以提供更有效的散热路径，从而促进更凉爽的运行。同时，PowerPAK 1212-F 最大限度地减少了开关区域的范围，有助于减少迹线噪声的影响。具体而言，在 PowerPAK 1212-F 封装中，源极焊盘尺寸增加了 10 倍，从 0.36 毫米增加到 4.13 毫米，从而实现了热性能的相应改善。PowerPAK1212-F 的中心栅极设计还简化了单层 PCB 上多个器件的并联。