Vishay / Siliconix

SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 功率 MOSFET

Vishay 的 MOSFET 具有业内领先的低导通电阻，提高了功率密度和效率

Vishay Siliconix SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET® 功率 MOSFET 图片 Vishay Siliconix SiA468DJ 提供业内最低导通电阻和最高连续漏电流的 30 V 器件，采用 2 mm × 2 mm 塑料PowerPAK® SC-70 封装，比采用 PowerPAK 1212 封的器件缩小了 60%。

相比前一代解决方案，SiA468DJ 的导通电阻降低了 51%，并相比同类竞争产品的性能提升了 7%。该系列的连续漏电流比前一代器件高 68%，且比最接近的同类竞争解决方案高 50%。

特性

  • 极低的导通电阻时间栅极电荷品质因数 (FOM)，针对不同的电源转换拓扑结构进行了优化
  • 业内一流的导通电阻，降低了传导损耗并提升效率
  • 高连续漏电流，能在遇到更高瞬态电流的应用中提供足够的安全裕量
  • 采用超紧凑的 PowerPAK SC-70 封装
  • 符合 RoHS 规范，经 100% RG 测试，无卤素
应用
  • DC/DC 转换和电池管理背对背负载切换
  • 笔记本电脑
  • 平板电脑
  • 虚拟现实头盔
  • DC/DC 模块
  • 无线充电器 H 桥
  • 无人机电机驱动控制

SiA468DJ-T1-GE3 TrenchFET Power MOSFET

图片制造商零件编号描述漏源电压（Vdss）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC70SIA468DJ-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 37.8A PPAK SC7030 V37.8A（Tc）4.5V，10V7104 - 立即发货$7.57查看详情
发布日期： 2017-04-03

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