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采用 Transphorm 符合 JEDEC 标准的 四代 GaN 平台打造，高电压 TP65H035G4WS 以标准 TO247 封装提供了 35 mΩ 的导通电阻，轻松实现了可驱动性。当在无桥图腾柱 PFC 拓扑中使用时，该 FET 的性能和整体设计优势得到最大化。作为 SuperGaN 产品组合的一部分，该器件提供 4 V 阈值和 ±20 V 栅极稳健性，搭配最高质量、最高可靠性 (Q+R) 的 GaN 功率半导体。
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | 735 - 立即发货 | $136.51 | 查看详情 |
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