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TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ 和 240 mΩ FET
Transphorm 经 JEDEC 认证的 Gen IV FET 采用 TO-247 和 PQFN 封装
Transphorm 的 650 V SuperGaN™ Gen IV FET 包括两个坚固的 JEDEC 认证器件。TP65H035G4WS 在 TO-247 封装中提供 35 mΩ 的典型导通电阻。TP65H300G4LSG 在 PQFN88 封装中提供典型的 240 mΩ 导通电阻。当与无桥图腾柱功率因数校正 (PFC) 一起使用时，使用 SuperGaN FET 的电源系统可以达到 99% 以上的效率。其优点包括品质因数提高约 10%；增强的浪涌电流能力；由于不再需要在高工作电流下的开关节点缓冲器，因而更易于设计。
TP65H SuperGaN™ 650 V 35 mΩ and 240 mΩ FETs
| 图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |  | TP65H035G4WS | GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3 | 46.5A（Tc） | 41 毫欧 @ 30A，10V | 4.8V @ 1mA | 735 - 立即发货 | $136.51 | 查看详情 |
发布日期： 2020-07-28
