TW070J120B SiC MOSFET

Toshiba 的 TW070J120B 碳化硅 MOSFET 具有低 R_DS(ON) (70 mΩ) 的特性，采用 TO-3P(N) 封装。

当减少工业设备的功耗时，功率器件是必备器件。SiC 被认为是功率器件的下一代材料，因为它实现了比硅更高的电压和更低的损耗。SiC 功率器件有望用于功率密集型应用，包括光伏功率系统和工业设备的功率管理系统。

Toshiba 创建了一种结构，该结构通过将 SBD 与电池内部的 PN 二极管平行放置来防止 PN 二极管通电。电流流经嵌入式 SBD，因为其导通状态电压低于 PN 二极管，从而抑制了导通电阻的变化和 MOSFET 可靠性的降低。

带有嵌入式 SBD 的 MOSFET 已在实际使用中，但仅在 3.3 kV 左右的高压下可用。通常，嵌入式 SBD 会导致导通电阻上升到只有高压产品才能承受的水平。Toshiba 调整了各种器件参数，发现 MOSFET 中 SBD 面积比是抑制导通电阻增加的关键。通过优化 SBD 比率，Toshiba 推出了高度可靠的 1.2 kV 级 SiC MOSFET。