650 V 和 1,200 V 第三代碳化硅 MOSFET

Toshiba 的第三代 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 专为 400 V 和 800 V_AC 输入的 AC/DC 电源、光伏 (PV) 逆变器和用于不间断电源 (UPS) 的双向 DC/DC 转换器等大功率工业应用而设计。

这些 MOSFET 有助于降低功耗并提高功率密度，因为 SiC 技术允许器件提供更高的耐压、更快的开关和更低的导通电阻。Toshiba 的第三代芯片设计提供了增强的可靠性。该 650 V 产品具有 4,850 pF 输入电容（C_ISS，典型值）、128 nC 低栅极输入电荷（Q_G，典型值）和仅为 15 mΩ 的漏源导通电阻（R_DS(ON)，典型值）。

此外，1,200 V 产品提供同样低的 6000 pF 输入电容（C_ISS，典型值）、158 nC 栅极输入电荷（Q_G，典型值）和 15 mΩ 漏源导通电阻（R_DS(ON) 典型值）。

650 V 和 1,200 V SiC MOSFET 均采用行业标准的三引线 TO-247 封装。