LMG5200 80 V GaN 半桥功率级

DigiKey电子元器件新产品信息 > LMG5200 80 V GaN 半桥功率级

            LMG5200 80 V GaN 半桥功率级
  
                    Texas Instruments 提供其 LMG5200 半桥 GaN 功率级，具有高度集成的高压侧和低压侧栅极驱动器

Texas Instruments LMG5200 80 V GaN 半桥功率级图片 Texas Instruments LMG5200 器件是 80 V、10 A 驱动器和 GaN 半桥功率级，借助增强模式氮化镓 (GaN) FET 提供了一套集成功率级解决方案。该器件包括两个采用半桥配置的 80 V GaN FET，由一个高频率 GaN FET 驱动器驱动。

GaN FET 在功率转换方面的优势显著，因为其反向恢复电荷几乎为零，输入电容 C_ISS 也很小。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，尽可能减少了封装寄生元件数。LMG5200 器件采用 6 mm x 8 mm x 2 mm 无铅封装，可轻松安装在 PCB 上。

该器件的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 V_CC 电压如何，都能够承受最高 12V 的输入电压。专有的自举电压钳位技术确保了增强模式 GaN FET 的栅极电压处于安全的工作范围内。

该器件配有用户友好型接口，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于具有高频、高效工作及小尺寸要求的应用而言，该器件堪称理想的解决方案。与 TPS53632G 控制器搭配使用时，LMG5200 能够直接将 48 V 电压转换为负载点电压 (0.5 V -1.5 V)。

资源

全面鉴定 GaN 产品可靠性的方法

GaN 的体二极管低估了 GaN 的第三象限工作性能吗

设计 GaN 功率级时需考虑的散热问题

特性

集成 15 mΩ GaN FET 和驱动器
80 V 连续、100 V 脉冲电压额定值
封装经过优化，方便 PCB 布线，无需考底部填充、爬电距离和电气间隙要求
超低的公共源电感，确保了高压摆率，在硬开关拓扑中不会造成过多的瞬时振荡
隔离式和非隔离式应用的理想选择
栅极驱动器能够实现高达 10 MHz 的开关
内部自举电源电压钳位可防止 GaN FET 过驱
电源轨欠压锁定
出色的传播延迟（典型值为 29.5 ns）和匹配（典型值为 2ns）
低功耗

应用

宽 V_IN、数兆 Hz 同步降压转换器
音频 D 类放大器
高功率密度单相和三相电机驱动
适用于电信、工业和企业计算的 48 V 负载点 (POL) 转换器

LMG5200 80 V GaN Half-Bridge Power Stage

	图片	制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
		LMG5200MOFT	IC HALF BRIDGE DRIVER 10A 9QFN	650 - 立即发货	$121.69	查看详情
		LMG5200MOFR	IC HALF BRIDGE DRIVER 10A 9QFN	2088 - 立即发货	$103.05	查看详情

Evaluation Board

	图片	制造商零件编号	描述	功能	嵌入式	可供货数量	价格	查看详情
		LMG5200EVM-02	EVAL BOARD FOR LMG5200	半 H 桥驱动器（内部 FET）	-	14 - 立即发货	$1,943.85	查看详情

Evaluation Expansion Board

	图片	制造商零件编号	描述	类型	功能	使用的 IC/零件	可供货数量	价格	查看详情
		BOOSTXL-3PHGANINV	48V 10A GAN INVERTER BOOSTERPACK	电源管理	电机控制器/驱动器	LMG5200	29 - 立即发货	$478.64	查看详情

发布日期： 2017-06-20

Related Product Highlight

TLV3603/-Q1 轨至轨比较器 Texas Instruments 的 TLV3603/-Q1 轨到轨比较器专为需要窄脉宽检测或高切换频率的应用而设计。

UCC27288 120 V 半桥驱动器 Texas Instruments 的 UCC27288 120 V 栅极驱动器设计用于在同步降压或半桥配置中驱动高侧和低侧 N 沟道 FET。

LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET 功率级 Texas Instruments 的 LMG3410R050/LMG3411R050 600 V GaN FET 功率级在易于使用的解决方案中提供了更高的开关性能和效率。

Related Product Training Modules

Selecting Voltage References TI describes the main types of voltage references, gives usage examples, a cost overview, and lists the key parameters.

Driving eGaN FETs with the LM5113 The advantages of EPC’s enhancement mode gallium nitride transistors and the key design challenges of implementing the new device technology.

LMG5200 80 V GaN 半桥功率级