LM74720-Q1 汽车级低 IQ 理想二极管控制器

Texas Instruments 的 LM74720-Q1 理想二极管控制器驱动和控制外部背靠背 N 沟道 MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3 V 至 65 V 的宽输入电源范围允许保护和控制 12 V 和 24 V 汽车电池供电的 ECU。该器件可以承受和保护负载免受低至 -65 V 的负电源电压的影响。集成的理想二极管控制器 (GATE) 驱动第一个 MOSFET 以替代肖特基二极管，从而实现反向输入保护和输出电压保持。

具有快速开启和关闭比较器的强大升压稳压器可确保在汽车测试（例如 ISO16750 或 LV124，ECU 会受到输入短时中断和高达 100 kHz 频率的交流叠加输入信号影响）期间确保稳健高效的 MOSFET 开关性能。运行中 35 µA（最大值）的低静态电流可实现始终开启的系统设计。通过电源路径中的第二个 MOSFET，LM74720-Q1 允许使用 EN 引脚进行负载断开控制。EN 低时，静态电流降至 3.3 μA（最大值）。该器件具有用于负载突降保护的可调节过压切断保护功能。