DRV5011 低压(最高 5.5 V)数字锁存霍尔效应传感器

Texas Instruments 的小型传感器非常适合增量旋转编码等应用

Texas Instruments 的 DRV5011 霍尔效应锁存器的图片Texas Instruments 的 DRV5011 数字锁存霍尔效应传感器设计用于电机和其他旋转系统。这些器件具有高效的低压架构,工作电压范围为 2.5 V 至 5.5V。这些传感器采用标准 SOT-23、薄型 X2SON 和 DSBGA 封装。输出是无需上拉电阻的推挽驱动器,可实现更紧凑的系统。

当南磁极靠近封装顶部并超过 BOP 阈值时,器件将驱动一个低电压。该输出会保持低电平直至施加北磁极且 BRP 阈值被超越,这将导致输出驱动高电压。切换输出需要交替北极和南极,集成磁滞将 BOP 和 BRP 分开以提供可靠的切换。该器件可在 -40°C 至 +135°C 的宽环境温度范围内保持稳定的性能。

特性
  • 超小型封装:X2SON、SOT-23 和 DSBGA
  • 高磁敏度:±2 mT(典型值)
  • 强磁滞:4 mT(典型值)
  • 快速感应带宽:30 kHz
  • VCC 工作范围:2.5 V 至 5.5 V
  • 推挽 CMOS 输出能够提供 5 mA 的拉电流,20 mA 的灌电流
  • 工作温度范围:-40°C 至 +135°C
应用
  • 增量旋转编码:
    • 有刷直流电机反馈
    • 电机转速(转速表)
    • 机械行程
    • 流体测量
    • 旋钮旋转
    • 轮速
  • BLDC 电机传感器
  • 电动自行车
  • 流量计

DRV5011 Digital-Latch Hall Effect Sensors

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发布日期: 2019-09-27