大功率射频 GaN 开关

            大功率射频 GaN 开关
  
                    Tagore 的 10 W 至 30 W CW 宽带开关能够处理高峰值功率（最高 100 W 峰值）

Tagore Technology　大功率射频 GaN 开关的图片 Tagore 的大功率射频 GaN 开关与控制器完全集成，因此，无论使用 3.3 V 或 5.0 V 电源，该开关都易于使用。与基于 GaAS 和 SOI 的开关相比，这些 10 W 至 30 W CW 宽带开关能够处理高峰值功率（最高 100 W 峰值），同时仍提供低插损和高隔离度。

特性

低插损
高隔离度
相对于 GaAs 或 SOI 的高峰值功率处理能力（最高 100 W 峰值）
热切换能力

通用电压 2.6 V 至 5.5 V
最高 7 GHz 的宽带性能
小封装
- 3 mm x 3 mm QFN
- 4 mm x 4 mm QFN

应用

基础设施
军用通讯电台

接收器保护
调谐滤波器/天线

High Power RF GaN Switches

制造商零件编号	描述	可供货数量	价格	查看详情
TS7224FK	IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 16QFN	10 - 立即发货	$90.44	查看详情
TS72250K	IC RF SWITCH SPDT 6GHZ 16QFN	71 - 立即发货	$90.44	查看详情
TS7242FK	IC RF SWITCH SP4T 3GHZ 16QFN	48 - 立即发货	$100.53	查看详情