大功率射频 GaN 开关

Tagore 的 10 W 至 30 W CW 宽带开关能够处理高峰值功率(最高 100 W 峰值)

Tagore Technology 大功率射频 GaN 开关的图片Tagore 的大功率射频 GaN 开关与控制器完全集成,因此,无论使用 3.3 V 或 5.0 V 电源,该开关都易于使用。与基于 GaAS 和 SOI 的开关相比,这些 10 W 至 30 W CW 宽带开关能够处理高峰值功率(最高 100 W 峰值),同时仍提供低插损和高隔离度。

特性
  • 低插损
  • 高隔离度
  • 相对于 GaAs 或 SOI 的高峰值功率处理能力(最高 100 W 峰值)
  • 热切换能力
  • 通用电压 2.6 V 至 5.5 V
  • 最高 7 GHz 的宽带性能
  • 小封装
    • 3 mm x 3 mm QFN
    • 4 mm x 4 mm QFN
应用
  • 基础设施
  • 军用通讯电台
  • 接收器保护
  • 调谐滤波器/天线

High Power RF GaN Switches

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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发布日期: 2020-08-17