Panasonic

功率 CSP MOSFET

Panasonic 的高级 110 nm 细沟槽单元硅技术

Panasonic 的功率 CSP MOSFET全球领先的半导体产品制造商 Panasonic 宣布推出 FJ3P02100L 和 FK3P02110L 系列 Power CSP MOSFET。 功率 CSP MOSFET 系列采用 Power Mount CSP 封装 (PMCP)，这种封装融合了独特的焊盘设计和漏极夹技术。 因此，相比传统解决方案，热耗散性能提升了 5%，尺寸减小了 80%。 Panasonic 在单元技术和晶圆薄化制造领域的优势推动硅技术发展，相比同尺寸的传统芯片，其 110 nm 细沟槽式单元的 RDS(on) 降低了 47%。 通过这项技术，这种 MOSFET 系列实现了更高的能效，同时还降低了功耗。

特性
  • 大功率安装 CSP (PMCP) 封装相对传统的解决方案热耗散性能提升 5%，同时尺寸减小 80%
  • 通过了 AEC-Q101 鉴定
  • 相对同尺寸的传统芯片，细沟槽式硅技术的 RDS(on) 降低了 47%，实现更高能效的同时还降低了系统功耗
  • 尺寸： FJ3P02100L：2.0 x 2.0 x 0.33 mm，FK3P02110L：1.8 x 1.6 x 0.33 mm
  • RDS(on)：FJ3P02100L：VGS = 4.5 V 时 9.5 mΩ（典型值），FK3P02110L：VGS = 2.5 V 时 12.5 mΩ（典型值）
  • 无卤素且符合 RoHS 规范，带有无铅焊接鼓包


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Power CSP MOSFETs

图片制造商零件编号描述漏源电压（Vdss）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)可供货数量查看详情
MOSFET N CH 24V 3A PMCPFK3P02110LMOSFET N CH 24V 3A PMCP24 V3A（Ta）5508 - 立即发货查看详情
发布日期： 2013-07-02

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FJ3P02100L 和 FK3P02110L 系列功率 CSP MOSFET 来自 Panasonic 的功率 CSP MOSFET 系列采用功率安装 CSP 封装 (PMCP)