Panasonic

FJ3P02100L 和 FK3P02110L 系列功率 CSP MOSFET

采用独特的焊盘设计和漏极夹技术

Panasonic 的 FJ3P02100L 和 FK3P02110L 系列功率 CSP MOSFET 图片Panasonic 的功率 CSP MOSFET 系列采用 Power Mount CSP 封装 (PMCP)，使用独特的焊盘设计和漏极夹技术。 因此相比传统解决方案，热耗散性能提升了 5%，尺寸减小了 80%。 Panasonic 在单元技术和晶圆薄化制造领域的优势推动硅技术发展，相比同尺寸的传统芯片，其 110 nm 细沟槽式单元的  RDS(on) 降低了 47%。 通过使用这项技术，这种 MOSFET 系列实现了更高能效，同时还可以降了低功耗。

特性 应用
  • 获得 AEC-Q101 资质认可
  • 尺寸：
    • FJ3P02100L：2.0 mm x 2.0 mm x 0.33 mm
    • FK3P02110L：1.8 mm x 1.6 mm x 0.33 mm
  • RDS(on)：
    • FJ3P02100L：9.5 mΩ@VGS=4.5 V（典型值）
    • FK3P02110L：12.5 mΩ@VGS=2.5 V（典型值）
  • 无铅焊球，无卤素，且符合 RoHS 规范
  • 便携式音频播放器 / 游戏设备 / 便携式设备 / IC 记录器
  • 血糖监测仪/助听器
  • IC 卡
  • 量表
  • 转接器
  • 智能手机/平板电脑/电子书
  • 服务器/路由器


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FJ3P02100L and FK3P02110L Series

图片制造商零件编号描述漏源电压（Vdss）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)可供货数量查看详情
MOSFET P-CH 20V 4.4A 3PMCPFJ3P02100LMOSFET P-CH 20V 4.4A 3PMCP20 V4.4A（Ta）0 - 立即发货查看详情
MOSFET N CH 24V 3A PMCPFK3P02110LMOSFET N CH 24V 3A PMCP24 V3A（Ta）5508 - 立即发货查看详情
发布日期： 2013-07-02

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