太阳能逆变器

在大功率应用中，IGBT 仍然是首选，因为它们在处理大电流和高电压时提供出色的性能。IGBT 的主要缺点是开关速度较低，但这对于太阳能逆变器来说并不那么重要。onsemi 既提供分立式 IGBT，也提供更集成的模块解决方案。Field Stop7 是新型 1200 V IGBT 系列，经过优化，具有低传导损耗。

与传统硅 MOSFET 相比，碳化硅器件更适用于更高电压，从而降低传导损耗。SiC 逆变器解决方案的损耗比 IGBT 解决方案更低。SiC MOSFET 可以实现更快的切换，这有助于减小无源器件（尤其是电感器）的尺寸。另一方面，全 SiC 系统需要全新的系统设计，这进一步增加了成本。全新 1200 V SiC MOSFET (M3S) 系列针对高温操作进行了优化，并且在 18 V 驱动电压下具有低至 22 mΩ 的 R_DS(ON)。

onsemi 提供具有各种拓扑结构的 IGBT 或 SiC 模块，包括半桥，甚至是单个封装中的整个三级 A-NPC。使用电源模块可以带来许多优势，包括增强的热性能、减小系统尺寸和加快产品上市时间。这些模块可用于几十到几百千瓦的功率范围。

onsemi EliteSiC 系列的优势视频 -点击此处观看