IGBT 模块

结果 : 4
配置
半桥逆变器双，共源
电压 - 集射极击穿（最大值）
1000 V1118 V
供应商器件封装
27-PIM（71x37.4）53-PIM/Q2PACK（93x47）
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制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
IGBT 类型
配置
电压 - 集射极击穿（最大值）
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
功率 - 最大值
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
输入
NTC 热敏电阻
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
NXH300B100H4Q2F2SG
MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
onsemi
36
现货
1,404
工厂
1 : ¥1,194.44000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
双，共源
1118 V
73 A
194 W
2.25V @ 15V，100A
800 µA
6.323 nF @ 20 V
标准
是
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
53-PIM/Q2PACK（93x47）
PIM 1500V 250KW Q2BOOST
NXH300B100H4Q2F2S1G
PIM 1500V 250KW Q2BOOST
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1,135.33000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
双，共源
1118 V
73 A
194 W
2.25V @ 15V，100A
800 µA
6.323 nF @ 20 V
标准
是
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
53-PIM/Q2PACK（93x47）
MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
NXH300B100H4Q2F2SG-R
MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
onsemi
36
现货
1 : ¥2,074.29000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
半桥逆变器
1000 V
73 A
194 W
2.25V @ 15V，100A
800 µA
6.323 nF @ 20 V
标准
是
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
53-PIM/Q2PACK（93x47）
MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
NXH300B100H4Q2F2PG
MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥1,194.44000
托盘
-
托盘
在售
沟槽型场截止
双，共源
1118 V
73 A
194 W
2.25V @ 15V，100A
800 µA
6.323 nF @ 20 V
标准
是
-40°C ~ 175°C（TJ）
底座安装
模块
27-PIM（71x37.4）
显示
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IGBT 模块

绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件，主要用作电子开关，兼具高效率和快速切换优点。作为模块，IGBT 配置为非对称式桥； 升压、降压和制动斩波器；全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。