NCx51705 EliteSiC MOSFET 栅极驱动器
onsemi 的单个 6 A 高速驱动器能够将允许的最大栅极电压施加到 EliteSiC MOSFET 器件上
onsemi NCx51705 低压侧单 6A 高速驱动器主要用于驱动 SiC MOSFET 晶体管。为了实现尽可能低的传导损耗,驱动器能够将允许的最大栅极电压施加到 EliteSiC MOSFET 器件上。通过在导通和关断期间提供高峰值电流,还可将开关损耗降至最低。为了提高可靠性、dV/dt 抗扰度以及实现更快的关断速度,NCx51705 可以利用其板载电荷泵生成用户可选的负电压轨。对于隔离型应用,NCx51705 还提供了一个外部可访问的 5 V 电源轨,用于为数字或高速光隔离器的次级侧供电。
资源
- 技术文档:SiC MOSFET:栅极驱动优化
- 技术文档:GaN 和 SiC 晶体管之间的区别
- 视频:在 HEV/EV 充电应用中利用带隙
- 分流输出级的高峰值输出电流
- 扩展的正电压额定值,最高可达 28 V
- 用户可调的内置负电荷泵(-3.3 V 至 -8 V)
- 可访问的 5 V 参考电压/偏置电压轨
- 可调欠压锁定
- 快速去饱和功能
- QFN24 封装 4 mm x 4 mm
- 允许独立的开/关调整
- 导通期间高效 SiC MOSFET 运行
- 快速关断和强大的 dV/dt 抗扰性
- 降低隔离式栅极驱动应用中偏置电源的复杂性
- 足够的 VGS 振幅以匹配 SiC 最佳性能
- 设计的自我保护
- 小型和低寄生电感封装
- 高性能变频器
- 大功率电机驱动器
- 推拉输出电路 PFC
- 工业和电机驱动
- UPS 和太阳能逆变器
- 大功率直流充电器
NCx51705 SiC MOSFET Gate Driver
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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NCP51705MNTXG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 2884 - 立即发货 12000 - 厂方库存 | $46.56 | 查看详情 | ||
NCV51705MNTWG | IC GATE DRVR LOW-SIDE 24QFN | 5638 - 立即发货 | $35.65 | 查看详情 |
Other Wide Bandgap Solutions
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | 价格 | 查看详情 | |
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NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 | ||
NCD57001DWR2G | DGTL ISO 5KV 1CH GATE DVR 16SOIC | 1498 - 立即发货 | $49.57 | 查看详情 | ||
NTHL080N120SC1 | SICFET N-CH 1200V 44A TO247-3 | 0 - 立即发货 | See Page for Pricing | 查看详情 |