NCx51705 EliteSiC MOSFET 栅极驱动器

onsemi 的单个 6 A 高速驱动器能够将允许的最大栅极电压施加到 EliteSiC MOSFET 器件上

onsemi NCx51705 SiC MOSFET 栅极驱动器图片onsemi NCx51705 低压侧单 6A 高速驱动器主要用于驱动 SiC MOSFET 晶体管。为了实现尽可能低的传导损耗,驱动器能够将允许的最大栅极电压施加到 EliteSiC MOSFET 器件上。通过在导通和关断期间提供高峰值电流,还可将开关损耗降至最低。为了提高可靠性、dV/dt 抗扰度以及实现更快的关断速度,NCx51705 可以利用其板载电荷泵生成用户可选的负电压轨。对于隔离型应用,NCx51705 还提供了一个外部可访问的 5 V 电源轨,用于为数字或高速光隔离器的次级侧供电。

资源

特性
  • 分流输出级的高峰值输出电流
  • 扩展的正电压额定值,最高可达 28 V
  • 用户可调的内置负电荷泵(-3.3 V 至 -8 V)
  • 可访问的 5 V 参考电压/偏置电压轨
  • 可调欠压锁定
  • 快速去饱和功能
  • QFN24 封装 4 mm x 4 mm
 
  • 允许独立的开/关调整
  • 导通期间高效 SiC MOSFET 运行
  • 快速关断和强大的 dV/dt 抗扰性
  • 降低隔离式栅极驱动应用中偏置电源的复杂性
  • 足够的 VGS 振幅以匹配 SiC 最佳性能
  • 设计的自我保护
  • 小型和低寄生电感封装
应用
  • 高性能变频器
  • 大功率电机驱动器
  • 推拉输出电路 PFC
 
  • 工业和电机驱动
  • UPS 和太阳能逆变器
  • 大功率直流充电器

NCx51705 SiC MOSFET Gate Driver

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更新日期: 2020-04-03
发布日期: 2019-11-06