采用超小封装的低 RDS(on) MOSFET

了解 NXP 种类丰富的采用较小 DFN2020 和 DFN1006 封装的高性能、低 RDS(on) MOSFET。 这些产品可满足更高能效、更高功率密度和更低功耗的趋势。

适用便携设备的 SOT23 - DFN1006

• 比 SOT23 小 7 分之 1，但具有相同的功率耗散（350 mW)
• 2 个版本：基底面均为 1 x 0.6 mm，但高度分别为 0.37 mm (DFN1006B-3) 和 0.5 mm (DFN1006-3)
• 有广泛供应商基数支撑的多方外包：
• 5 家以上供应商提供基底面兼容封装
• 大的 MOSFET 产品组合范围和市面上提供的双极晶体管
• 支持 100 mA 至 1 A 宽电流范围
• 这些 MOSFET 是便携式设备电源管理单元中负载开关的极佳选择

2 X 2 x 0.65 mm DFN2020 单、双通道 MOSFET 具有最先进的功率密度：

• 仅占用 4 mm² 的安装面积，但具有与标准 SO-8 类似的热阻
• 针对开关性能和低 RDS(on) 而优化，该系列产品是便携式应用中电池/充电器开关和 DC/DC 转换器的理想之选
• 单 DFN2020 封装采用表面镀锡侧焊盘（“可湿性侧翼”），轻松实现焊接检测

特性

• 12-60 V P 沟道和 N 沟道类型
• 高达 3 kV HBM 的 ESD 保护产品类型
• 具有 AEC-Q101 认可的汽车类型
• 带有表面镀锡侧焊盘的产品类型
• 2.5 V 时小于 0.65 毫欧的较低 RDS(on) 值（仅限 DFN1006 类型）
• RDS(on) 范围低至 10 毫欧和 ID 最高达 13 A（仅限 DFN2020 类型）

应用

• 小型、超薄和电池驱动型电子设备中的功率转换和开关功能
• 汽车、消费电子和工业领域的其它空间受限型应用