BLL8Hxx 系列射频功率晶体管
NXP Semiconductors 推出具有集成双侧 ESD 保护、内部匹配功能和高坚固性的 BLL8Hxx 系列射频功率晶体管。
NXP 推出适合 L 波段雷达应用的采用其第 8 代 50 V LDMOS 技术的 BLL8Hxx 系列射频功率晶体管。 BLL8Hxx 系列具有出色的宽频带(1.2-1.4 GHz) 工作性能,输出功率水平有 25、130、250 和 500 W (P,1 dB)。 BLL8Hxx 系列具有集成双侧 ESD 保护、内部匹配,高坚固性、高能效(典型值 50%)和出色的热稳定性。
- BLL8H0514-25:适用于 0.5 GHz 至 1.4 GHz 范围内脉冲应用的 25 W LDMOS 晶体管
- BLL8H0514L (S)-130:适用于 0.5 GHz 至 1.4 GHz 范围内脉冲应用的 130 W LDMOS 晶体管
- BLL8H1214LS-500:适用于 1.2 GHz 至 1.4 GHz 范围内 L 波段雷达应用的 500 W LDMOS 功率晶体管
- BLL8H1214L(S)-250:适用于 1.2 GHz 至 1.4 GHz 范围内 L 波段雷达应用的 250 W LDMOS 功率晶体管
特性和优势
- 简易功率控制
- 集成双侧 ESD 保护
- 在不同脉冲格式条件下具有高度灵活性
- 优异的坚固性
- 高能效
- 出色的热稳定性
- 设计用于宽频带操作(1.2 GHz 至 1.4 GHz)
- 易于使用的内部匹配
- 符合有关危险物质限制 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令
应用
- 适合 1.2 GHz 至 1.4 GHz 频率范围内雷达应用的 L 波段功率放大器
BLL8Hxx Family RF Power Transistors
图片 | 制造商零件编号 | 描述 | 可供货数量 | ||
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BLL8H0514-25U | RF MOSFET LDMOS 50V SOT467C | 0 - 立即发货 | 查看详情 | ||
BLL8H0514L-130U | RF MOSFET LDMOS 50V CDFM2 | 0 - 立即发货 | 查看详情 | ||
BLL8H0514LS-130U | RF MOSFET LDMOS 50V CDFM2 | 0 - 立即发货 | 查看详情 | ||
BLL8H1214L-250U | RF MOSFET LDMOS 50V SOT502A | 0 - 立即发货 | 查看详情 | ||
BLL8H1214LS-250U | RF MOSFET LDMOS 50V SOT502B | 0 - 立即发货 | 查看详情 | ||
BLL8H1214L-500U | RF MOSFET LDMOS 50V SOT539A | 0 - 立即发货 | 查看详情 | ||
BLL8H1214LS-500U | RF MOSFET LDMOS 50V SOT539B | 0 - 立即发货 | 查看详情 |
发布日期: 2015-03-02