NXP Semiconductors

BLL8Hxx 系列射频功率晶体管

NXP Semiconductors 推出具有集成双侧 ESD 保护、内部匹配功能和高坚固性的 BLL8Hxx 系列射频功率晶体管。

NXP Semiconductor 的 BLL8Hxx 系列射频晶体管图片NXP 推出适合 L 波段雷达应用的采用其第 8 代 50 V LDMOS 技术的 BLL8Hxx 系列射频功率晶体管。 BLL8Hxx 系列具有出色的宽频带（1.2-1.4 GHz) 工作性能，输出功率水平有 25、130、250 和 500 W (P,1 dB)。 BLL8Hxx 系列具有集成双侧 ESD 保护、内部匹配，高坚固性、高能效（典型值 50%）和出色的热稳定性。

  • BLL8H0514-25：适用于 0.5 GHz 至 1.4 GHz 范围内脉冲应用的 25 W LDMOS 晶体管
  • BLL8H0514L (S)-130：适用于 0.5 GHz 至 1.4 GHz 范围内脉冲应用的 130 W LDMOS 晶体管
  • BLL8H1214LS-500：适用于 1.2 GHz 至 1.4 GHz 范围内 L 波段雷达应用的 500 W LDMOS 功率晶体管
  • BLL8H1214L(S)-250：适用于 1.2 GHz 至 1.4 GHz 范围内 L 波段雷达应用的 250 W LDMOS 功率晶体管

特性和优势

  • 简易功率控制
  • 集成双侧 ESD 保护
  • 在不同脉冲格式条件下具有高度灵活性
  • 优异的坚固性
  • 高能效
  • 出色的热稳定性
  • 设计用于宽频带操作（1.2 GHz 至 1.4 GHz）
  • 易于使用的内部匹配
  • 符合有关危险物质限制 (RoHS) 的 2002/95/EC 指令

应用

  • 适合 1.2 GHz 至 1.4 GHz 频率范围内雷达应用的 L 波段功率放大器

BLL8Hxx Family RF Power Transistors

图片制造商零件编号描述可供货数量
RF MOSFET LDMOS 50V SOT467CBLL8H0514-25URF MOSFET LDMOS 50V SOT467C0 - 立即发货查看详情
RF MOSFET LDMOS 50V CDFM2BLL8H0514L-130URF MOSFET LDMOS 50V CDFM20 - 立即发货查看详情
RF MOSFET LDMOS 50V CDFM2BLL8H0514LS-130URF MOSFET LDMOS 50V CDFM20 - 立即发货查看详情
RF MOSFET LDMOS 50V SOT502ABLL8H1214L-250URF MOSFET LDMOS 50V SOT502A0 - 立即发货查看详情
RF MOSFET LDMOS 50V SOT502BBLL8H1214LS-250URF MOSFET LDMOS 50V SOT502B0 - 立即发货查看详情
RF MOSFET LDMOS 50V SOT539ABLL8H1214L-500URF MOSFET LDMOS 50V SOT539A0 - 立即发货查看详情
RF MOSFET LDMOS 50V SOT539BBLL8H1214LS-500URF MOSFET LDMOS 50V SOT539B0 - 立即发货查看详情
发布日期： 2015-03-02

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